类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：1.9A（@ VGS = 4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：7.6A
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：42mΩ（@ VGS = 4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS = 2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值0.8V，最大值1.2V（@ ID = 500μA）
　　输入电容（Ciss）：约340pF（@ VDS = 10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约6ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约16ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道

3LN02C-TB-E具备出色的开关性能，得益于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），能够在高频开关电路中实现快速响应并降低开关损耗。该MOSFET的低导通电阻RDS(on)有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率，特别适用于电池供电设备中对能效要求较高的场合。
　　该器件的阈值电压较低，通常在0.8V至1.2V之间，使其能够与低压逻辑信号（如1.8V或2.5V逻辑）直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。此外，低VGS(th)特性也增强了其在浅深度睡眠模式或待机状态下的控制能力，进一步优化了功耗管理。
　　3LN02C-TB-E采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装具有良好的热性能和电气性能，能够在有限的空间内提供稳定的电流承载能力。同时，该器件通过了JEDEC标准的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
　　由于其无铅、无卤素的设计，3LN02C-TB-E符合现代绿色电子产品的环保要求，适用于出口型产品和对环保认证有严格要求的应用领域。其高重复性制造工艺保证了批次间参数的一致性，有利于大规模生产中的良率控制和品质管理。

3LN02C-TB-E广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高效开关性能的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关、LED驱动电路、电池管理系统中的充放电控制以及DC-DC转换器中的同步整流开关。
　　在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端中，该MOSFET常用于电源路径管理，例如在主电源与备用电池之间进行切换，或在不同电源域之间实现隔离控制。其快速开关能力和低静态电流特性使其非常适合用于节能型电源管理模块。
　　此外，3LN02C-TB-E也适用于信号路由开关，在音频、数据线路或多路复用系统中作为模拟开关使用。由于其低导通电阻和较小的寄生电容，能够有效减少信号失真和传输延迟，保障信号完整性。
　　在工业控制、传感器接口和物联网（IoT）设备中，该器件可用于驱动继电器、LED指示灯或小型执行器，实现微控制器对外围设备的精确控制。其宽泛的工作温度范围也支持在较严苛的工业环境中稳定运行。

DMG2302U-7
　　FDD4410A
　　AO3400A
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