型号：3LN01C-TL-E
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：9.2 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2 V，最大值1.8 V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ（在VGS = 10 V时），60 mΩ（在VGS = 4.5 V时）
　　输入电容（Ciss）：约330 pF（在VDS = 15 V，VGS = 0 V，f = 1 MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：约140 pF
　　反向传输电容（Crss）：约40 pF
　　栅极电荷（Qg）：约7 nC（在VDS = 15 V，ID = 2.3 A，VGS = 10 V条件下）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：约16 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN1010B3（1.0 x 1.0 mm）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

3LN01C-TL-E具备多项优异特性，使其在同类MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。在VGS=10V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在VGS=4.5V时仍能保持60mΩ的低阻值，说明该器件即使在较低驱动电压下也能高效工作，特别适用于由锂电池供电的3.3V或5V逻辑系统。这一特性对于延长电池寿命至关重要。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，提升了电流密度和开关速度。快速的开关响应能力减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升高频开关应用中的能效表现。同时，较低的栅极电荷（Qg≈7nC）意味着驱动电路所需提供的能量更少，进一步降低了驱动损耗，并允许使用更小的驱动器芯片，节省PCB空间和成本。
　　第三，3LN01C-TL-E具有出色的热性能。其小型DFN1010B3封装虽然体积微小，但通过优化的内部结构和散热设计，能够有效传导热量，确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。结合其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C），该器件可在恶劣环境温度下可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等对环境适应性要求高的场景。
　　此外，该器件通过AEC-Q101车规认证，证明其在机械强度、温度循环、湿度敏感度和长期可靠性方面均达到汽车行业标准。这意味着它不仅可用于消费类电子产品，还可用于汽车内的照明系统、传感器模块、电动门锁等关键部件中。最后，产品符合RoHS和无卤素要求，支持环保生产流程，适应全球市场对绿色电子产品的法规要求。

3LN01C-TL-E的应用领域十分广泛，主要集中在需要小型化、高效率和高可靠性的电子系统中。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，该MOSFET常用于电源管理单元中的负载开关或电池保护电路，利用其低RDS(on)和小封装优势，实现高效的电能切换和最小的空间占用。
　　在电池供电设备中，例如移动电源、无线传感器节点和IoT终端设备，3LN01C-TL-E作为开关元件用于控制不同功能模块的供电通断，帮助实现低功耗待机和动态电源管理策略，从而延长整体续航时间。其低阈值电压特性使得可以直接由微控制器的GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计。
　　在汽车电子方面，得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，该器件可用于车载摄像头电源开关、LED照明控制、DC-DC转换器同步整流以及车身控制模块中的继电器替代方案。相比传统机械继电器，MOSFET方案具有更快的响应速度、更长的使用寿命和更高的抗振动能力。
　　此外，在工业自动化设备、小型电机驱动电路和各类电源适配器中，3LN01C-TL-E也可作为高效的开关元件使用。其良好的热稳定性和抗噪声能力使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作，适用于对系统稳定性要求较高的应用场景。

DMG2301U,RSA01N03,SI2301DS