3HP04CH 时间：2025/9/21 1:05:14 阅读：4

3HP04CH是一款由Vishay Siliconix生产的高性能P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在低电压和大电流条件下提供出色的性能表现，同时减少功率损耗并提高系统整体效率。3HP04CH特别适用于需要紧凑封装和高效能表现的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还具备良好的热性能和电气性能，适合高频开关应用。该MOSFET在栅极驱动电压方面表现出色，支持逻辑电平控制，能够直接由微控制器或其他低电压驱动电路驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了成本。此外，3HP04CH具备优良的抗雪崩能力和稳健的可靠性，在瞬态过压和过流条件下仍能保持稳定工作，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：3HP04CH
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)典型值：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)最大值：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：90mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC @ VGS = -4.5V
　　输入电容（Ciss）：120pF @ VDS = -10V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

3HP04CH采用Vishay成熟的TrenchFET?沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。这种先进的制造工艺使得器件在小尺寸封装下仍能提供卓越的电流处理能力，尤其适用于对空间和效率要求严格的便携式电子产品。其低RDS(on)特性显著减少了导通状态下的功率损耗，有助于提升电池续航时间并降低散热需求。
　　该器件具有快速开关响应能力，输入电容和栅极电荷均处于较低水平，使其非常适合用于高频DC-DC转换器、负载开关、逆变器和电机驱动等应用场合。由于其支持低电压栅极驱动（如-4.5V或-2.5V），可以直接与现代低压逻辑IC（如MCU、FPGA或专用电源管理芯片）接口，无需额外的驱动级，简化了电路设计。
　　3HP04CH具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其额定结温高达+150°C，并通过了严格的质量认证，确保在工业级温度范围内长期可靠运行。器件还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　此外，该MOSFET具有较低的阈值电压，确保在启动和关断过程中实现精确控制，避免误触发或延迟响应。其反向二极管特性也经过优化，适用于需要体二极管导通的应用场景，例如同步整流或能量回馈路径中。综合来看，3HP04CH是一款集高性能、小型化和高可靠性于一体的P沟道MOSFET解决方案。

应用

3HP04CH广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源开关，如智能手机和平板电脑中的电池保护电路或负载开关模块。它也可用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，特别是在需要P沟道作为上管的应用中，因其驱动简单而受到青睐。
　　在嵌入式系统和物联网设备中，3HP04CH常被用作电源域切换开关，实现不同功能模块的独立供电控制，以达到节能待机的目的。此外，它还可用于LED驱动电路中作为恒流调节开关，或者在传感器模块中作为电源启停控制元件。
　　工业控制领域中，该器件适用于小型继电器驱动、信号切换或多路复用器的电源管理单元。由于其SOT-23封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在各类高度集成的PCB设计中具有广泛应用前景。另外，在热插拔电路、USB端口电源控制以及备用电源切换等场景中，3HP04CH也能发挥其快速响应和低损耗的优势。