型号：3HN04MH-TL-E
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　封装类型：SOT-23
　　引脚数：3
　　二极管配置：双二极管，共阴极
　　最大反向电压（VR）：75 V
　　峰值正向电流（IF(peak)）：500 mA
　　重复峰值反向电压（VRRM）：75 V
　　直流阻断电压（VR）：75 V
　　正向电压（VF）：1.1 V（在10 mA时）
　　反向漏电流（IR）：5 μA（最大值，25°C）
　　结电容（Cj）：0.6 pF（典型值，4 V偏置）
　　开关时间（trr）：4 ns（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：300 mW（最大值）

3HN04MH-TL-E的核心特性之一是其优异的高频性能，这主要得益于其极低的结电容（典型值为0.6 pF，在4 V偏置下）。低电容确保了在高频信号路径中引入最小的信号损耗和失真，使其非常适合用于射频开关、调制解调器和天线调谐电路。此外，该器件的开关时间非常短，反向恢复时间（trr）最大为4 ns，能够在高速数字和模拟切换应用中实现快速响应，减少开关延迟和瞬态干扰。
　　另一个关键特性是其共阴极双二极管结构，允许在单个封装内实现对称信号处理或双向限幅功能。这种结构在T/R（发送/接收）开关电路中特别有用，可以有效隔离发射和接收通道，防止高功率发射信号损坏敏感的接收前端。同时，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能，适用于严苛的工作环境。
　　3HN04MH-TL-E还具备出色的ESD（静电放电）耐受能力，能够在制造和使用过程中提供一定程度的保护。其SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间，还支持高密度组装，满足现代便携式电子设备对小型化和轻量化的需求。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保产品设计。整体而言，3HN04MH-TL-E结合了高频响应、快速开关、小尺寸和高可靠性，是高性能模拟和射频系统中的理想选择。

3HN04MH-TL-E广泛应用于需要高频信号处理和快速开关响应的电子系统中。在无线通信领域，它常用于手机、Wi-Fi模块、蓝牙设备和基站中的天线开关模块（ASM），实现发射与接收路径之间的切换。其低电容和高隔离度有助于提升射频链路的效率和灵敏度。此外，在射频前端模块中，该器件可用于可变衰减器电路，通过控制偏置电流调节信号幅度，实现自动增益控制（AGC）功能。
　　在消费类电子产品中，3HN04MH-TL-E可用于音频和视频信号路径中的保护电路，防止过压或静电损坏后续放大器或ADC器件。其快速响应能力也使其适用于脉冲检测和整形电路，例如在编码器接口或数字通信接口中作为箝位二极管使用。在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号调理电路，特别是在高频激励或调制信号处理场合。
　　此外，3HN04MH-TL-E还可用于雷达系统、测试测量仪器和医疗电子设备中的高速开关和限幅应用。由于其高可靠性和稳定性，也适合部署在汽车电子系统中，如车载通信模块和远程信息处理单元。总之，凡是需要在紧凑空间内实现高性能射频或高速模拟信号处理的应用，3HN04MH-TL-E都是一个极具竞争力的解决方案。

BAS40-04, PMBT3904, BAV99