型号：3HN04CH-TL-E
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P-Channel MOSFET
　　封装类型：SOT-23
　　通道数：1
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-500mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：550mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻（RDS(on)）：650mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC @ VGS = -10V
　　输入电容（Ciss）：130pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围：-55°C to +150°C
　　存储温度范围：-55°C to +150°C
　　极性：P-Channel
　　安装类型：Surface Mount

3HN04CH-TL-E具备优异的电气特性和封装紧凑性，特别适用于对空间和功耗极为敏感的应用场景。其P沟道结构使得在高边开关配置中可以直接通过逻辑信号驱动，简化了电源管理电路的设计复杂度，避免了N沟道MOSFET所需的自举电路或电荷泵，降低了系统成本和设计难度。该器件在-10V栅源电压下的导通电阻仅为550mΩ，在-4.5V条件下为650mΩ，确保在低电压操作环境下仍能维持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，其低栅极电荷（仅3.5nC）显著减少了驱动电路的能量消耗和开关延迟，提升了高频开关应用中的响应速度和动态性能。
　　该MOSFET采用ROHM成熟的沟槽型（Trench）工艺制造，优化了载流子迁移路径，增强了器件的电流处理能力和热稳定性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，还具备良好的散热性能，能够在有限空间内有效传导热量。器件支持-55°C至+150°C的工作结温范围，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。同时，该器件具有较强的抗静电能力（ESD robustness），提高了在实际装配和使用过程中的可靠性。
　　3HN04CH-TL-E的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，使其能够兼容3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外电平转换电路，进一步简化了系统设计。其输入电容仅为130pF，降低了对驱动源的负载要求，有利于减少驱动芯片的功耗。尽管作为P沟道器件，其导通电阻通常高于同等级N沟道MOSFET，但在小电流、低电压应用场景中，其综合性能优势明显。此外，该器件符合AEC-Q101车规可靠性标准的可能性较高，表明其具备一定的汽车电子应用潜力，如车载传感器模块或车身控制单元中的低功耗开关。

3HN04CH-TL-E广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的电子系统中。典型应用包括便携式电池供电设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和延长续航时间。在智能手机和平板电脑中，可用于LCD背光驱动、摄像头模块供电控制或外设电源管理。此外，该器件适用于各类物联网终端设备，如智能传感器节点、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、LoRa等）的电源启停控制，帮助降低待机功耗。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，其小尺寸封装和低静态功耗特性尤为关键，有助于实现极致轻薄设计。
　　该MOSFET还可用于电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑结构中的高端开关，特别是在微型直流电机或步进电机控制中表现良好。在LED照明系统中，可作为恒流源的开关元件，实现调光或开关控制。工业控制领域中，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路或继电器驱动电路中的信号切换与隔离。由于其具备良好的温度稳定性和可靠性，也可用于汽车电子中的非动力系统，如车内照明控制、车窗升降器驱动或门锁控制模块。此外，在电源管理单元（PMU）或DC-DC转换器的同步整流或续流路径中，3HN04CH-TL-E可作为辅助开关元件，优化能量转换效率。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于大规模SMT贴片工艺，提升了生产效率和产品一致性。

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　　 "DMG2301U",
　　 "AO3415",
　　 "Si2301DS",
　　 "FDC6322P",
　　 "BSS84"
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