时间：2025/12/28 0:46:59
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3EZ190D5是一款由Littelfuse公司生产的高功率齐纳二极管，属于EZ系列的一部分，专为高稳定性电压箝位和电压参考应用而设计。该器件采用DO-201AD封装（也称为轴向引线封装），具有良好的散热性能和机械强度，适用于需要在高功率条件下稳定工作的场合。3EZ190D5的标称齐纳电压为190V，额定耗散功率高达3瓦特，使其能够在瞬态过压或持续稳压应用中提供可靠的性能。该齐纳二极管通过精确控制的半导体制造工艺实现低动态阻抗、稳定的温度系数和较小的电压公差，确保在各种工作条件下维持电压精度。其结构基于重掺杂的p-n结，工作于反向击穿区域，利用齐纳效应和雪崩击穿机制共同作用，在高压型号中以雪崩机制为主导。3EZ190D5具备优良的长期电压稳定性，适合用于电源反馈回路、电压基准源、过压保护电路以及工业控制系统中的稳压环节。由于其高电压特性，常用于高压电源监测、电弧抑制、浪涌吸收等场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，并具备较强的环境适应能力。
类型：齐纳二极管
封装：DO-201AD（轴向）
齐纳电压（Vz）：190V（@ Izt = 7.9mA）
测试电流（Izt）：7.9mA
最大稳压电流（IZM）：约15.8mA
额定功率（Ptot）：3W
最大反向漏电流（IR）：5μA（@ VR = 152V）
动态阻抗（Zzt）：≤600Ω（@ Izt）
温度系数：+2.5mV/°C（典型值）
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
3EZ190D5齐纳二极管的核心特性在于其高压稳压能力和高功率处理性能。该器件在190V的标称电压下可长时间稳定工作，且具备3W的最大功耗能力，使其在高电压系统中能够承受较大的连续电流而不发生热失效。其电压容差控制在±5%以内，保证了输出电压的精确性，适用于对电压精度要求较高的模拟电路和反馈控制环路。该器件的动态阻抗较低，在额定测试电流下不超过600Ω，有助于减小因负载变化引起的电压波动，提高系统的稳定性。温度系数为正且相对稳定，约为+2.5mV/°C，表明其电压随温度升高略有上升，这一特性在设计温度补偿电路时需加以考虑。但由于其工作电压较高，温度漂移的相对影响较小。
该齐纳二极管采用坚固的DO-201AD封装，具有良好的热传导性能和机械耐用性，适合在恶劣工业环境中使用。其PN结设计优化了电场分布，提高了击穿均匀性和可靠性，避免局部热点导致的早期失效。器件具备优异的长期稳定性，经过老化筛选后电压漂移极小，可在多年运行中保持性能一致。此外，3EZ190D5具备较强的瞬态过载承受能力，能够在短时过流或电压冲击下安全运行，适合作为保护元件或冗余稳压单元。其反向漏电流在低于击穿电压时非常低（仅5μA），有效减少待机功耗和信号干扰，适用于高阻抗电路中的电压采样或偏置设置。整体而言，该器件结合了高压、高功率、高稳定性和工业级可靠性，是高端电源和工业电子系统中的理想选择。
3EZ190D5广泛应用于需要高电压稳压或参考的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）的反馈回路中作为电压基准，用于调节输出电压精度；在高压直流电源模块中作为过压保护或稳压元件，防止输出异常升高损坏负载设备。它也常用于工业自动化控制系统中的电压检测电路，提供稳定的比较基准。在测试与测量仪器中，该器件可用于构建精密高压参考源，确保读数准确性。此外，3EZ190D5还可用于电弧抑制电路，在继电器或接触器断开感性负载时吸收瞬态高压，延长设备寿命。在通信电源、医疗设备电源以及航空航天电子系统中，因其高可靠性和宽温工作能力，也被用作关键节点的电压箝位元件。在某些高压偏置网络或分压器电路中，该齐纳二极管可与其他电阻或电容配合，实现稳定的偏置点设定。由于其具备一定的浪涌耐受能力，也可作为初级ESD或雷击防护电路中的辅助保护器件。总之，凡涉及190V左右稳压需求且要求长期稳定性的应用场景，3EZ190D5均能发挥重要作用。
P6KE190A
BZX85C190
1N2974
