3EZ120D5 时间：2025/6/20 10:33:34 阅读：51

3EZ120D5是一种高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电力电子领域中的开关和放大功能。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够满足高效能电源转换和电机驱动的需求。
　　这种MOSFET适用于多种应用场合，包括但不限于DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各类工业控制设备。

参数

型号：3EZ120D5
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源极电压(V_DS)：1200V
　　最大栅源极电压(V_GS)：±20V
　　最大漏极电流(I_D)：5A
　　导通电阻(R_DS(on))：6.5Ω (在V_GS=15V时)
　　总功耗(P_TOT)：75W
　　结温范围(T_J)：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-247

特性

3EZ120D5的主要特点是其高耐压性能和较低的导通电阻，这使其非常适合高压开关应用。
　　1. 高击穿电压（1200V）保证了它能够在高电压环境下稳定工作，同时减少了因过压导致的失效风险。
　　2. 较低的导通电阻有助于降低传导损耗，从而提高系统的整体效率。
　　3. 快速开关能力确保了在高频条件下仍然可以保持良好的性能表现。
　　4. 可靠的热设计支持较高的功率处理能力，并允许更长的使用寿命。
　　此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力，进一步增强了其在恶劣环境下的稳定性。

应用

该芯片主要应用于需要高压切换和大电流承载能力的场景中。
　　1. 在工业控制领域，例如用于驱动步进电机或伺服电机等复杂负载。
　　2. 在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电机的整流与逆变过程。
　　3. 各种类型的电源模块，包括离线式开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及AC-DC适配器。
　　4. 不间断电源（UPS）系统中的关键元件，以实现高效的能量转换。
　　5. 汽车电子中的某些特定用途，例如电动车牵引逆变器和车载充电器。