晶体管类型：NPN型高频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为110至800（具体数值取决于后缀字母）
　　特征频率（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：最小为0.6 dB（典型值）

高频性能优异：3DU5B具有高达250 MHz的特征频率（fT），适用于高频放大和混频应用。
　　低噪声系数：该晶体管的噪声系数最低可达0.6 dB，使其成为低噪声放大器的理想选择。
　　高电流增益：在不同的集电极电流条件下，hFE值范围广泛（110至800），便于电路设计。
　　稳定性和可靠性高：采用硅材料制造，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。
　　小功率设计：300 mW的功耗使其适用于低功耗和便携式电子设备。
　　封装紧凑：TO-92封装适合在空间有限的电路板上安装，便于批量生产和维修。

3DU5B常用于以下应用场景：
　　无线通信设备中的射频放大器：适用于VHF/UHF频段的信号放大，如对讲机、无线接收器等。
　　低噪声前置放大器：在需要高信号完整性的系统中，用于放大微弱信号并降低噪声干扰。
　　混频器电路：用于频率转换电路中，将输入信号与本地振荡器信号混合，产生中频信号。
　　音频放大器：在低频段应用中，可作为音频信号的前置放大器或驱动放大器。
　　传感器信号调理电路：用于放大来自传感器的微弱信号，以提高测量精度。
　　教育和实验用途：由于其广泛的应用和易于获取，3DU5B常用于电子工程教育和实验项目中。

2N3904, BC547, BF199, 2SC2547