时间：2025/4/27 12:16:24
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3DSR16M32VS4500MSA12M 是一款基于 3D stacking 技术的高性能存储芯片，主要应用于对存储密度和速度要求较高的场合。该芯片采用了先进的制程工艺，提供大容量、低功耗和高可靠性的特性。其设计适用于企业级存储、数据中心以及高性能计算领域。
类型：3D NAND Flash
容量：16GB
接口：PCIe Gen4 x4
工作电压：1.8V/3.3V
数据传输速率：4500MB/s（顺序读取）
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写寿命：3000次（P/E Cycle）
该存储芯片采用 3D stacking 技术，将多层存储单元垂直堆叠，显著提升了存储密度和性能。
具备低功耗特性，适合长时间运行的应用场景。
支持高速 PCIe 接口，能够实现快速的数据传输。
内置 ECC（错误校正码）功能，确保数据的完整性与可靠性。
提供宽温支持，能够在极端环境下稳定工作。
3DSR16M32VS4500MSA12M 广泛应用于企业级固态硬盘、服务器存储系统、云计算平台、边缘计算设备及高性能计算系统中。
适用于需要大容量、高吞吐量和低延迟存储的场景，例如数据库加速、虚拟化环境和人工智能推理任务。
也可用于工业自动化、监控录像存储以及其他关键任务型存储解决方案。
3DSR16M64VS5000MSA12M
3DSR32M32VS4500MSA12M
