3DG80B 时间：2025/8/24 21:40:14 阅读：9

3DG80B是一款常用的NPN型高频晶体管（双极型晶体管，BJT），广泛应用于射频（RF）和高频放大电路中。这款晶体管设计用于在高频环境下提供良好的增益和稳定性，适用于如通信设备、射频放大器、振荡器等电路。3DG80B具有良好的高频响应和较高的电流增益（β），使其在许多高频电子应用中具有优势。

参数

类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：25V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：150mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA, Vce=5V时为200-600
　　封装形式：TO-92或类似的小功率晶体管封装

特性

3DG80B具有优异的高频性能，适用于100MHz及以下的射频和中频放大应用。其高电流增益确保了在低电流操作时仍能保持良好的放大效果，这使得它在低功耗、高灵敏度的放大器设计中非常受欢迎。
　　该晶体管采用了稳定的制造工艺，能够在不同的温度和负载条件下保持一致的性能。此外，3DG80B的封装设计紧凑，便于安装在PCB板上，并具有良好的散热性能，适合在紧凑的电子设备中使用。
　　由于其良好的噪声性能和线性度，3DG80B常用于前置放大器、射频接收器、音频放大器以及各种模拟电路设计中。该晶体管还具有较高的稳定性，适合用于振荡器和混频器等需要精确频率控制的电路。