类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2kHz下为40至500，取决于具体后缀
　　封装形式：TO-92金属封装

3DG5551-O-T-N-C 具备多项优良的电气和物理特性，使其在高频放大应用中表现出色。首先，该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，意味着它可以在较高频率下维持良好的电流增益，适合用于射频信号放大和处理。其次，3DG5551-O-T-N-C 的电流增益范围较宽，典型值在40至500之间，这使得该器件能够灵活地适应不同的放大需求，如前置放大器、低噪声放大器等。
　　此外，该晶体管采用TO-92金属封装，具备良好的热稳定性和机械强度，能够在一定温度范围内保持稳定的工作性能。金属封装还有助于屏蔽外部电磁干扰，提高高频电路的可靠性。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为150mA，最大功耗为300mW，这使其在低功耗、中等功率的高频电路中具有良好的适用性。
　　值得一提的是，3DG5551-O-T-N-C 的噪声系数较低，适合用于需要高信噪比的应用，如收音机、对讲机、无线通信设备中的前置放大电路。其低噪声特性与高增益相结合，有助于提升整个系统的信号接收质量和灵敏度。

3DG5551-O-T-N-C 主要应用于高频放大电路中，如无线电接收器、无线通信设备、对讲机、调频收音机等。此外，该晶体管也常用于低噪声前置放大器、振荡器和开关电路中，适用于需要高频响应和低噪声性能的各种电子设备。

9018, BF199, 2N3904