晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为50-800（具体分为不同等级）
　　封装形式：TO-92或TO-126

3DG2482S晶体管具有优异的高频响应特性，适用于射频和中频放大电路。其主要特性包括：
　　? 高频性能优越：该晶体管的过渡频率（fT）可达100MHz，使其在射频放大器和中频放大器中表现出色。
　　? 低噪声系数：适用于低噪声放大电路，能够有效提升信号接收的灵敏度和清晰度。
　　? 高增益特性：根据不同的hFE等级，3DG2482S能够提供较高的电流放大倍数，适用于多级放大电路中的增益控制。
　　? 良好的稳定性和可靠性：采用金属封装设计，提高了散热性能，确保晶体管在较高工作温度下仍能稳定运行。
　　? 宽泛的工作电压范围：最大集电极-发射极电压为30V，允许其在多种电路环境下使用，提高了应用灵活性。
　　? 高功率耐受性：最大功耗为300mW，适用于中等功率的放大电路。
　　这些特性使3DG2482S成为射频前端放大器、无线通信电路、音频前置放大器以及其他高频应用中的理想选择。

3DG2482S晶体管广泛应用于以下领域：
　　? 射频放大器：作为低噪声放大器（LNA）用于无线通信系统的射频前端，提高信号的接收质量。
　　? 中频放大器：在调频（FM）收音机、电视接收器和通信设备中用于中频信号的放大。
　　? 混频器电路：在超外差接收机中用于将射频信号转换为中频信号。
　　? 音频前置放大器：用于音频放大系统中，提高输入信号的幅度。
　　? 电子开关：适用于低功率电子开关电路，实现信号的切换和控制。
　　? 教学实验：在电子工程教育中用于讲解晶体管的工作原理和应用电路设计。
　　由于其良好的高频特性和稳定性，3DG2482S被广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制系统和教学实验等多个领域。

2N3904, BC547, 9013