时间：2025/5/15 12:21:58
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3DEE8M08VS8190MB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该芯片为 N 沟道增强型 MOSFET，适用于中高压应用场景，其封装形式紧凑，有助于提高设计灵活性并减少整体解决方案的尺寸。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：19A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：1250pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
3DEE8M08VS8190MB 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，从而提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效能电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在>4. 支持超宽的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间，并提供良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种工业和消费类应用中。
该芯片适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电子系统。
3DEE8M08VS8190MA, IRF840, FDP17N8
