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3DD13003H8D-HJ 发布时间 时间:2025/8/1 20:52:01 查看 阅读:35

3DD13003H8D-HJ是一款NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于高功率和高频率的应用场合。该晶体管采用了先进的硅半导体技术,具备良好的热稳定性和电流放大能力。其设计适用于开关电源、逆变器、电机控制以及工业自动化等需要高可靠性和高效率的电子系统。该器件通常采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适合在严苛的工业环境中使用。

参数

晶体类型:NPN型BJT
  最大集电极电流(Ic):5.0A
  最大集电极-发射极电压(Vce):400V
  最大集电极-基极电压(Vcb):700V
  最大功耗(Ptot):75W
  电流增益(hFE):在Ic=250mA时为8-15
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

3DD13003H8D-HJ晶体管具备多个关键特性,使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先,其高电流承载能力(最大集电极电流为5.0A)使其适用于需要高电流输出的电路,例如电机驱动和开关电源。其次,该晶体管的高电压耐受能力(Vce为400V,Vcb为700V)确保了在高压环境下的稳定运行,避免了因电压过高导致的击穿问题。
  此外,该晶体管的最大功耗为75W,结合TO-220封装的良好散热性能,使其在高负载条件下仍能保持较低的工作温度,从而提高系统的可靠性和寿命。该器件的电流增益(hFE)在Ic=250mA时为8-15,这使得它在放大和开关应用中具备良好的线性度和响应速度。
  另一个显著特点是其宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C),使其能够在极端环境条件下正常运行,例如高温工业环境或低温户外设备。此外,该晶体管的封装形式为TO-220,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装在散热片上,进一步提升其热管理能力。
  总的来说,3DD13003H8D-HJ晶体管在高功率、高电压和高频率的应用中表现出色,具备优异的电气性能和机械稳定性,是工业控制、电源管理和自动化设备中的理想选择。

应用

3DD13003H8D-HJ晶体管广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。其主要应用领域包括开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率放大器。由于其高电压和高电流的承受能力,该晶体管也常用于LED照明驱动、家电控制模块以及电动车电控系统中。
  在开关电源中,3DD13003H8D-HJ可用于主开关管或同步整流管,提供高效的能量转换能力。在逆变器系统中,该晶体管可以作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或UPS系统。在电机控制方面,该晶体管能够驱动直流电机或步进电机,广泛应用于工业机器人、自动化生产线和电动工具中。
  此外,该晶体管还可用于高频振荡器和射频功率放大器,适用于某些特定的通信设备和射频加热系统。其优异的热稳定性也使其在高温环境中(如工业炉具控制和电力变换模块)具有良好的应用表现。

替代型号

3DD13003K(8A)、3DD13003H8D、3DD13003H8D-H、3DD13003H8D-L、3DD13003H8D-HJ3

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