类型：NPN型功率晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
　　最大发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大功耗（Ptot）：75W
　　电流增益（hFE）：在Ic=3A时为20至80（分不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

3DD13002E具有良好的热性能和高电流承载能力，能够在高功率条件下稳定工作。其NPN结构使其在开关和放大应用中表现出色，尤其是在需要高电流增益和低饱和压降的场合。此外，该晶体管采用金属封装（通常为TO-3或TO-218封装），具有良好的散热性能，适用于各种工业级应用。
　　该晶体管的电流增益（hFE）根据不同的生产批次和型号等级分为多个范围，通常在20至80之间。其高频响应特性使其适用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。同时，3DD13002E具有较低的饱和电压（Vce_sat），在大电流工作时能够减少功耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有较高的耐压能力，集电极-发射极最大电压可达100V，适用于中高压功率电路。其封装设计也便于安装散热片，从而在高功耗应用中保持良好的温度控制。

3DD13002E广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、开关电源（SMPS）和各种高功率电子设备中。它常用于功率放大器、DC-DC变换器、继电器驱动电路以及工业自动化控制系统中的高电流开关场合。

TIP142, 2SD1047, 2N6035