类型：PNP型
　　材料：锗
　　最大集电极电流（Ic）：0.7A
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极功耗（Pcm）：10W
　　直流电流放大系数（hFE）：30~100
　　特征频率（fT）：≥0.3MHz
　　封装形式：金属封装（类似TO-3）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +100℃

3AD18D作为一款典型的低频大功率PNP型锗晶体管，其最显著的特性之一是采用了锗半导体材料作为基底。这种材料使得该晶体管在导通时具有较低的基射极开启电压，通常在0.2V至0.3V之间，远低于硅晶体管的0.6V~0.7V，因此特别适用于低电压供电环境下的小信号放大和灵敏度较高的模拟电路中。这一特性使其在早期的音频前置放大器、麦克风输入级和检波电路中表现出色，能够有效提升信号的响应速度和动态范围。
　　其次，3AD18D具备相对较高的功率处理能力，其最大集电极功耗可达10W，在适当的散热条件下可长时间稳定运行，适用于中等功率的音频输出级或驱动级应用。配合合适的偏置电路和负载匹配网络，它可以在低频范围内实现较高的增益和较低的失真，满足当时对音质的基本要求。
　　此外，该晶体管为PNP结构，意味着其正常工作时需要负电源供电或共发射极配置下的正电源接地方式，这与现代主流NPN型晶体管有所不同，因此在电路设计时需特别注意电源极性和偏置电阻的配置。其直流电流放大倍数（hFE）范围为30至100，属于中等放大能力，适合用于多级放大电路中的中间级或输出级。
　　然而，由于锗材料本身的物理特性限制，3AD18D存在较大的反向漏电流，尤其是在高温环境下，ICEO（集电极-发射极截止电流）会显著增加，可能导致工作点漂移甚至热失控。因此，在实际应用中必须采取良好的散热措施，并避免长时间满负荷运行。同时，其特征频率仅为0.3MHz左右，决定了它仅适用于低频或音频频段，无法胜任高频放大或射频应用。
　　总体而言，3AD18D代表了中国早期半导体工业的技术水平，虽然在性能和稳定性方面无法与现代硅功率晶体管相比，但在特定的历史背景和技术需求下，仍是一款具有实用价值的经典器件。

3AD18D主要用于低频模拟电路系统中，特别是在上世纪国内生产的各类电子设备中广泛应用。其典型应用场景之一是音频功率放大电路，常被用作小型扩音机、晶体管收音机或公共广播系统的末级推挽输出管或单端输出级，配合3DD系列NPN大功率晶体管组成互补对称电路，实现基本的音频信号放大功能。由于其具备10W左右的最大功耗和0.7A的集电极电流能力，在配备足够散热片的情况下，可以驱动4Ω或8Ω扬声器，输出数瓦的音频功率，满足一般民用音响的需求。
　　另一个重要应用领域是低频信号放大与开关控制。由于其较低的导通压降，3AD18D适合用于小信号前置放大级，尤其是在电池供电的便携式设备中，能够有效提高电路的灵敏度和效率。此外，在一些工业控制电路中，该晶体管也被用作继电器驱动、电机启停控制或灯光调节等开关用途，通过基极的小电流信号来控制较大负载的通断。
　　在通信设备方面，3AD18D曾用于调幅收音机的中频放大或检波后级放大电路，利用其较高的增益特性增强微弱信号。尽管其频率响应有限，不适合高频直接放大，但在固定频率的低频处理环节仍能发挥良好作用。
　　此外，在电子教学与实验中，3AD18D因其结构典型、参数明确，常被用作讲解三极管工作原理、共发射极放大电路设计及偏置稳定性分析的教学实例。对于维修人员而言，在修复老式电子设备时，了解并掌握3AD18D的工作特性和替换方案也是一项必要技能。
　　值得注意的是，随着现代集成电路和高效硅功率器件的发展，3AD18D已基本退出主流市场，但在复古音响制作、文物设备维护和特定收藏级项目中仍有其独特地位。

3AD18C
　　3AD18E
　　2N403A
　　MJ2955