中心频率：39.0625MHz
　　频率容差：±10ppm 至 ±50ppm（典型值）
　　工作电压：1.8V / 2.5V / 3.3V（依据封装和型号）
　　输出类型：CMOS、LVCMOS、TTL 或 clipped sine wave（依具体器件而定）
　　负载电容：8pF、10pF、12pF、18pF（针对无源晶体）
　　等效串联电阻（ESR）：通常小于 50Ω（取决于晶体设计）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）或 -20°C 至 +70°C（商业级）
　　老化率：±3ppm/年（典型值）
　　封装形式：SMD 封装如 2.0x1.6mm、2.5x2.0mm、3.2x2.5mm、5.0x3.2mm 等

39.0625MHz 晶体或振荡器的核心特性在于其高频率精度和稳定性，适用于对时序要求严格的数字系统。该频率常用于需要精确分频生成标准通信速率的场景，例如在某些以太网 PHY 芯片中，39.0625MHz 被用作参考时钟，通过内部锁相环（PLL）倍频至 125MHz，从而驱动 RMII 或 RGMII 接口的数据传输。这种设计的优势在于可以避免使用更高频率的外部晶振，降低 EMI 干扰风险，同时保持良好的时钟完整性。
　　该频率还具有良好的可合成性，因其为 25MHz 的有理数倍（25 × 25/16），使得在多时钟域系统中易于实现频率协调。在 FPGA 设计中，39.0625MHz 常被用作 ADC/DAC 采样时钟、DDR 控制器参考时钟或 SerDes 链路训练时钟。此外，该频率在部分射频收发器（如某些 IEEE 802.11 或专有无线协议芯片）中也作为本地振荡器的基准，支持上下变频操作。
　　在物理实现上，39.0625MHz 可由有源晶体振荡器（XO）直接提供，也可通过无源晶体配合 IC 内部振荡电路生成。前者具有启动快、驱动能力强、抗干扰性好的优点，适合长走线或多负载应用；后者则成本较低，但需注意 PCB 布局、负载电容匹配及噪声抑制。为了确保长期可靠性，这类器件通常具备低老化率、宽温工作能力以及高 Q 值特性，确保在整个生命周期内频率漂移最小。

39.0625MHz 主要应用于需要高精度时钟参考的电子系统中。在网络通信领域，该频率广泛用于以太网物理层芯片（PHY），例如 Marvell、Microchip 或 Realtek 的部分千兆以太网收发器，作为内部 PLL 的输入参考时钟，用于生成 125MHz 的 MII/RGMII 接口时钟。在嵌入式系统中，该频率可用于微控制器（MCU）、DSP 或 FPGA 的系统主时钟，特别是在需要与外部设备进行高速同步通信的场合。
　　在工业控制与自动化设备中，39.0625MHz 晶体常用于 PLC、HMI 和远程 I/O 模块，保障实时数据采集与传输的时序准确性。此外，在测试测量仪器如示波器、逻辑分析仪或信号发生器中，该频率可能作为时间基准源，用于采样时钟或触发定时。
　　在消费类电子产品中，尽管不常见于主流手机或平板，但在某些高端音频设备、数字电视调谐器或机顶盒中，也可能使用该频率进行音视频同步处理。在无线通信模块中，尤其是基于专有协议或私有网络的 Zigbee、LoRa 或 Sub-GHz RF 应用中，39.0625MHz 可作为 RFIC 的参考时钟，支持精准的载波频率合成与解调。
　　此外，在航空航天与国防电子系统中，若需符合严格的时间同步规范（如 IEEE 1588 PTP 边界时钟），也可能采用此类高稳定度晶体作为时基单元的一部分。整体而言，39.0625MHz 是一种兼顾性能与兼容性的关键频率，在多种复杂系统中发挥着“时间心脏”的作用。