中心频率：37.5 MHz
　　频率容差：±10ppm 至 ±50ppm（典型值）
　　工作温度范围：-20°C 至 +70°C（商业级），-40°C 至 +85°C（工业级）
　　负载电容：8pF, 10pF, 12pF, 18pF（针对无源晶体）
　　激励功率：≤100μW（推荐值）
　　老化率：±3ppm/年（典型）
　　输出波形：正弦波（有源振荡器可能为CMOS/TTL）
　　电源电压：3.3V 或 5V（适用于有源振荡器）
　　封装形式：HC-49/S, HC-49/US, SMD3225, SMD5032 等
　　相位噪声：-140dBc/Hz @ 1kHz offset（典型值，依具体器件而定）

37.5MHz 的频率设计在许多高性能和专用系统中展现出独特的优势。首先，该频率是十进制与二进制时钟系统之间良好的折中点，便于实现高精度分频和倍频操作。例如，在通信系统中，37.5MHz 可通过锁相环（PLL）轻松生成 75MHz、150MHz 或 300MHz 等高频时钟，也可分频得到 18.75MHz、12.5MHz、6.25MHz 等常用子系统时钟，从而支持多速率数据传输协议如USB、Ethernet PHY、SDIO 接口等。这种灵活性使其成为工业自动化、测试测量设备和嵌入式网关的理想选择。
　　其次，37.5MHz 晶体元件通常具备优异的频率稳定性和温度特性。在工业级产品中，采用AT切型石英晶体可保证在宽温环境下（-40°C至+85°C）仍维持±20ppm以内的频率偏差，满足严苛的应用需求。对于高可靠性场景，还可选用带温度补偿的压控晶体振荡器（TCXO）版本，进一步将稳定性提升至±0.5ppm以上，适用于基站同步、精密仪器和航空航天领域。
　　再者，37.5MHz 频率在电磁兼容性（EMC）方面也有一定优势。相较于更高频率（如50MHz以上），其辐射能量较低，有助于降低PCB布局中的干扰风险；同时又高于传统低速时钟（如4~16MHz），能够支持更快的数据处理速度。因此，在兼顾性能与可靠性的中高端设备中，37.5MHz 成为一种平衡之选。此外，随着定制化需求增加，厂商也提供基于此频率的SPXO（简单封装振荡器）、VCXO（压控振荡器）等形式，供用户根据动态调频或同步需求灵活选用。

37.5MHz 主要应用于需要高精度时钟源的电子系统中。常见用途包括工业控制设备中的PLC（可编程逻辑控制器）主时钟、通信模块中的串行收发器（如RS-485、CAN FD）定时基准、网络交换机或路由器中的PHY层时钟同步。此外，在音视频处理设备中，该频率可用于像素时钟生成或作为ADC/DAC的采样时钟，特别是在标清到高清过渡类设备中有实际应用。
　　在测试与测量仪器中，例如示波器、信号发生器或频谱分析仪，37.5MHz 可作为内部数字信号处理单元的参考频率，确保采样和重建过程的时间准确性。医疗电子设备中的一些成像系统或监护仪也可能采用该频率来保证数据采集的同步性。
　　在嵌入式系统开发中，部分高性能ARM Cortex-M系列或RISC-V架构微控制器会使用37.5MHz 外部晶振作为外部时钟输入，再经内部PLL倍频至数百MHz以提高CPU运行速度。此外，在无线通信领域，尽管不直接用于射频载波，但可作为本地振荡器（LO）链路中的中频时钟或基带处理时钟，参与混频与解调过程。
　　值得注意的是，虽然37.5MHz 并非最主流的晶振频率，但在一些原厂参考设计或特定SoC平台中已被明确指定，因此在替换或升级时需严格遵循规格书要求，避免因频率不匹配导致系统无法启动或通信异常。