36MT10 时间：2025/12/26 20:48:24 阅读：22

36MT10是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件封装在TO-220AB或TO-247AD等通孔封装中，适用于需要高电流处理能力和低导通损耗的电源系统。36MT10以其优异的热性能和电气特性，在工业电源、DC-DC转换器、电机驱动以及电源管理模块中得到了广泛应用。该MOSFET具备低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。此外，其坚固的封装设计确保了良好的散热性能，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。36MT10的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，符合工业级应用要求，并通过了多项可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）和高温栅极偏压（HTGB）。该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。
　　作为一款100V额定电压的MOSFET，36MT10在同步整流、电池供电系统和太阳能逆变器等场景中表现出色。其低RDS(on)值在同类产品中具有竞争力，能够有效降低传导损耗，提升能效表现。由于其出色的动态性能和热稳定性，36MT10常被用于替代传统功率晶体管或双极型MOSFET，以实现更紧凑、高效的电源设计方案。

参数

型号：36MT10
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：180 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：540 A
　　最大耗散功率（PD）：500 W
　　导通电阻（RDS(on) max）：3.6 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：240 nC @ VDS = 80 V
　　输入电容（Ciss）：9000 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-247AD

特性

36MT10采用了Vishay成熟的沟槽栅极MOSFET工艺，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值。其典型RDS(on)仅为3.6mΩ（在VGS=10V时），即使在高负载条件下也能保持较低的传导损耗，这对于大电流应用场景如电动工具电源、工业电机驱动和服务器电源至关重要。该器件的低栅极电荷（Qg=240nC）和低输入电容（Ciss=9000pF）使其在高频开关操作中表现出色，减少了驱动电路所需的能量，同时也降低了开关过程中的电磁干扰（EMI）。这使得36MT10非常适合用于工作频率超过100kHz的DC-DC变换器和LLC谐振转换器。
　　该MOSFET具备优良的热性能，TO-247AD封装提供了较大的散热接触面，结合内部铜夹连接技术，有效降低了热阻（RθJC），提高了长期运行的可靠性。其最大耗散功率可达500W，在强制风冷或配备适当散热器的情况下可长时间承受高功率负载。此外，36MT10具有较强的抗雪崩能力，经过严格测试验证可在非钳位感性负载条件下安全工作，避免因电压尖峰导致器件损坏。这一特性对于电机启动、继电器切换等存在较大反电动势的应用尤为重要。
　　器件还具备良好的栅极氧化层可靠性，通过了高温栅极偏压（HTGB）和高温反向偏压（HTRB）测试，确保在恶劣环境下长期使用的稳定性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）支持极端环境下的应用需求，例如户外通信设备、工业自动化控制系统等。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=55ns），虽不建议作为主整流元件使用，但在同步整流拓扑中仍能提供一定的辅助功能。总体而言，36MT10凭借其高性能参数与可靠的设计，成为现代高效电源系统中的关键组件之一。

应用

36MT10广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子系统中。常见用途包括工业级开关电源（SMPS）、大功率DC-DC降压/升压转换器、服务器和数据中心电源单元（PSU）、电信整流器、不间断电源（UPS）、太阳能光伏逆变器以及电动汽车充电模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适合用作主开关管或同步整流管，在硬开关和软开关拓扑中均能发挥优势。此外，该器件也常用于电机驱动电路，如伺服驱动器、电动叉车控制器和家电变频系统，提供快速响应和高效能的能量转换。在电池管理系统（BMS）中，36MT10可用于主动均衡电路或充放电控制开关，确保电池组的安全与寿命。其高耐压特性和良好热稳定性也使其适用于铁路牵引辅助电源、医疗设备电源等对可靠性要求极高的领域。