最大漏源电压(VDS)：1200V
　　最大连续漏极电流(ID)：30A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为 15mΩ
　　最大功耗(PD)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：USC（5x6mm 陶瓷封装）

35USC12000M30X30 氮化镓功率晶体管具有多项优异的电气和热性能。首先，它的高击穿电压（1200V）使其适用于高压电源系统，如工业电源、可再生能源系统和电动汽车充电设备。其次，低导通电阻（15mΩ）减少了导通损耗，提高了整体能效。此外，GaN 技术赋予该器件极高的开关速度，从而支持更高的开关频率，进而缩小磁性元件和电容的尺寸，实现更高功率密度的设计。
　　该器件的热性能也非常出色，其低热阻（RθJC）确保了在高功率操作下的稳定性和可靠性。35USC12000M30X30 还具备优异的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，其封装采用陶瓷材料，提供了良好的绝缘性能和机械稳定性，适用于高可靠性应用场景。
　　在驱动方面，35USC12000M30X30 的栅极驱动要求相对简单，兼容标准的 5V 至 10V 驱动电路，简化了设计和集成过程。该器件还具有较低的寄生电感，进一步提升了高频开关性能。这些特性共同作用，使 35USC12000M30X30 成为适用于高频电源转换器、同步整流器、谐振变换器和 DC-DC 转换器等应用的理想选择。

35USC12000M30X30 主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统，包括工业电源、服务器电源、可再生能源逆变器、电动汽车车载充电器、电池管理系统以及高频 DC-DC 转换器。此外，该器件也适用于谐振变换器（如 LLC 谐振变换器）和同步整流器等应用，能够显著提升系统效率并减小电源模块的体积。

EPC2218, EPC2050, EPC2040