时间：2025/10/10 22:35:22
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35RAPC4BHN2是一款由Vishay Semiconductors生产的高精度、低功耗的薄膜片式电阻阵列。该器件属于Vishay的TNPW e3系列，专为需要高稳定性、高精度和良好温度系数匹配的精密模拟电路设计。该电阻阵列为8引脚SOIC封装（Small Outline Integrated Circuit），内部集成了四个独立的精密薄膜电阻，可配置为共用公共端或独立使用，适用于差分信号处理、仪表放大器、ADC/DAC缓冲电路、精密增益设置等应用场景。该器件采用先进的薄膜沉积技术制造，具有出色的长期稳定性和抗老化性能，同时具备良好的耐湿性和机械强度。35RAPC4BHN2的命名遵循Vishay的标准编码规则，其中'35'代表尺寸（3.2 mm x 3.2 mm），'RAPC'表示为高精度阵列产品，'4'表示内部包含4个电阻，'B'代表阻值匹配比例，'H'为温度系数等级，'N2'为包装形式与端接材料标识。该器件符合RoHS指令，并支持无铅焊接工艺，适用于工业控制、医疗设备、测试测量仪器和高端通信系统等领域。
型号：35RAPC4BHN2
制造商：Vishay Semiconductors
产品系列：TNPW e3
封装类型：8-SOIC
元件数量：4
额定功率：0.1 W（每电阻）
工作电压：最高70 V
阻值范围：典型1 kΩ 至 100 kΩ 可选
阻值公差：±0.1%
温度系数（TCR）：±25 ppm/°C
通道间TCR匹配：±5 ppm/°C
通道间阻值匹配：±0.1%
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
端接材料：镍/钯/金（Ni/Pd/Au）
安装方式：表面贴装（SMD）
湿度敏感等级（MSL）：MSL 1（<=30°C/85%RH）
35RAPC4BHN2的核心特性在于其卓越的电气匹配性能和长期稳定性，使其在高精度模拟集成应用中表现出色。该器件采用薄膜光刻工艺，在陶瓷基板上沉积镍铬（NiCr）合金薄膜并进行激光修调，从而实现极高的阻值精度和温度系数控制。每个电阻单元之间的阻值匹配误差控制在±0.1%以内，而温度系数匹配更是达到±5 ppm/°C，确保在温度变化环境下各通道间的比例关系保持高度一致，这对于差分放大器、仪表放大器和精密分压网络至关重要。
该器件具备优异的长期稳定性，年漂移率小于25 ppm，在高温高湿环境下仍能保持性能稳定，适合用于要求长时间免校准的系统。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +155°C）使其可在极端工业环境中可靠运行。此外，35RAPC4BHN2具有低噪声、低电容和几乎为零的电感特性，不会引入额外的信号失真，特别适用于高频小信号处理场合。
结构方面，8引脚SOIC封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的热传导路径和机械支撑。所有端子均采用镍/钯/金镀层，确保优异的可焊性和耐腐蚀性，兼容回流焊和波峰焊工艺。器件通过AEC-Q200认证的部分型号可用于汽车电子，尽管35RAPC4BHN2主要用于工业级应用。整体设计注重可靠性与可制造性，满足现代高密度、高性能电子系统对微型化与高精度的双重需求。
35RAPC4BHN2广泛应用于对信号精度和稳定性要求极高的电子系统中。在测试与测量设备中，如数字万用表、示波器和精密电源，它被用于构建参考电压分压网络和反馈回路，确保测量结果的准确性。在工业自动化领域，该器件常用于PLC模块、传感器信号调理电路和高精度ADC驱动电路中，提升系统的抗干扰能力和线性度。
在医疗电子设备中，例如病人监护仪、血糖仪和医学成像系统的前端模拟电路，35RAPC4BHN2提供稳定的增益设置和偏置参考，保障生命体征数据采集的可靠性。在通信系统中，尤其是高速数据转换器（如高速ADC/DAC）的接口电路中，该电阻阵列用于阻抗匹配和共模电压控制，有助于降低信号失真和提高信噪比。
此外，该器件也适用于精密运算放大器电路中的反馈网络、桥式传感器放大器、电流检测放大器以及需要多通道匹配电阻的模拟集成电路外围电路。由于其高稳定性和低漂移特性，35RAPC4BHN2还被用于航空航天和国防领域的高可靠性电子系统中，作为关键模拟信号链的一部分。总之，任何需要多个高精度、低温漂、良好匹配电阻的应用场景，都是35RAPC4BHN2的理想选择。
TNPW35-35RAPC4BHN2
