型号：35N03
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：35A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：140A
　　导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ @ Vgs=10V, Id=17.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=4.5V, Id=17.5A
　　栅极电荷（Qg）：52nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：2300pF @ Vds=15V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-220、D2PAK (TO-263)

35N03 MOSFET 采用了英飞凌成熟的沟槽栅硅技术，具备极低的导通电阻与优异的开关特性，使其在高频率开关应用中表现出色。其典型导通电阻仅为 9.5mΩ（在 Vgs = 10V 条件下），显著降低了导通损耗，有助于提高电源转换效率，尤其适用于大电流输出的同步整流拓扑结构。此外，在 Vgs = 4.5V 时仍能保持 12mΩ 的低 Rds(on)，说明该器件在低电压驱动条件下依然具备良好的性能，兼容多种逻辑电平控制信号，包括由 PWM 控制器或微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为 52nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，从而减少了驱动电路的功耗，并支持更高的开关频率运行。这对于减小磁性元件体积、提升功率密度具有重要意义。同时，较低的输入电容（Ciss = 2300pF）也有助于降低高频下的动态损耗。其快速的开关响应能力——开启延迟时间为 15ns，关断延迟时间为 35ns——进一步增强了其在高频 DC-DC 变换器中的适用性。
　　35N03 具备出色的热稳定性和可靠性，最大工作结温可达 +175°C，可在高温环境下长期稳定工作。其封装形式如 TO-220 和 D2PAK 均具备优良的散热能力，可通过外接散热片或 PCB 铜箔进行有效热管理。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够承受一定的瞬态过压和过流冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。内置体二极管的反向恢复时间较短（trr = 30ns），可减少反向恢复损耗，避免因二极管拖尾电流引起的额外开关应力。

35N03 功率 MOSFET 广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效、大电流开关能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 适配器、PC 电源模块和服务器电源单元，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用，以降低传导损耗并提高整体能效。此外，它也常用于 DC-DC 降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，特别是在多相供电架构中担任关键开关角色，满足现代处理器和 FPGA 所需的大电流、低电压供电需求。
　　在电机驱动领域，35N03 可用于直流有刷电机或步进电机的 H 桥驱动电路中，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，实现高效的电机启停与调速控制，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。在电池管理系统（BMS）或便携式电源设备中，该器件可用于电池充放电回路的通断控制，提供低损耗的功率路径切换功能。
　　此外，35N03 还适用于逆变器、LED 驱动电源、太阳能充电控制器等中等功率电力转换装置。由于其具备良好的热性能和可靠的封装结构，也可在汽车电子辅助电源系统中使用，例如车载充电器或车身控制模块中的负载开关。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低压大电流开关应用，35N03 都是一个理想的选择。

IRF35N03PBF
　　STP35NF3LL
　　FQP35N03L