类型：MOSFET阵列模块
　　漏极电流（Id）：560A（最大）
　　漏极-源极电压（Vds）：200V（最大）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：模块式封装
　　功耗：约200W（最大）

35MXC5600M20X40 MOSFET阵列模块具有多项先进特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。首先，该模块采用了多个并联的MOSFET器件，以降低整体导通电阻，提高电流承载能力。模块的导通电阻非常低，通常在1.2mΩ左右，这大大减少了导通损耗，提高了整体效率。
　　此外，该模块具有高耐压能力，漏极-源极电压最大可达200V，适用于多种中高压功率转换系统。其栅极-源极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，同时具备过压保护功能。
　　在热管理方面，35MXC5600M20X40采用高效散热设计，确保在高电流和高频操作下仍能维持较低的结温。其工作温度范围为-55°C至+175°C，使其适用于严苛的工业和汽车环境。模块封装结构也优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了高频开关过程中的噪声辐射。
　　此外，该模块具备优异的短路和过流保护能力，确保在异常工况下仍能保持器件安全。模块内部结构采用高可靠性的焊接工艺和封装材料，提升了长期工作的稳定性和耐久性。

35MXC5600M20X40广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统，例如电动汽车（EV）充电器、车载逆变器、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及储能系统等。其高电流能力和低导通损耗特性使其成为高频开关应用的理想选择，同时其坚固的封装结构也适合在高温和高振动环境中使用。

SiC MOSFET模块（如Cree/Wolfspeed C2M0080120D）、6-pack IGBT模块（如Infineon FS82CS08A、STMicroelectronics STGW40V62DA4）