35LSQ27000M36X83 是一款由 Micron Technology 生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片专为高性能计算和嵌入式系统设计,提供了高速数据访问和稳定的工作性能。该芯片采用先进的制造工艺,确保了低功耗和高可靠性,适用于各种高端应用场景。
类型:DRAM
容量:256MB
组织结构:x8, x16, x32
速度:166MHz, 143MHz, 133MHz, 125MHz, 100MHz, 83MHz
电压:2.3V - 3.6V
封装:54针TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
35LSQ27000M36X83 是一款高性能的DRAM芯片,其主要特性包括宽电压范围、多频率选项和工业级工作温度范围。宽电压范围使其适用于多种电源环境,而多频率选项则允许根据具体应用需求选择最佳性能级别。该芯片支持x8、x16和x32数据宽度模式,提供灵活的接口配置。此外,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保在极端环境条件下也能稳定运行。封装形式为54针TSOP,适用于空间受限的设计。该芯片还具备低功耗设计,适合对能耗敏感的应用场景。
除了基本的性能和封装特性外,35LSQ27000M36X83 还具备出色的稳定性和耐用性,适用于需要长期运行的工业设备和网络基础设施。其高可靠性和数据完整性使其成为高端计算、通信和控制系统的理想选择。另外,该芯片的高密度存储能力使其在数据缓存和主存应用中表现出色,能够有效提升系统的整体性能。
该芯片广泛应用于工业控制系统、网络设备、通信基础设施、嵌入式系统以及高性能计算模块等场景。
35LSQ27000M36X83的替代型号包括:IS42S16256A-6T 和 CY7C1380B-133AXC。