时间：2025/9/8 5:01:45
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35LSQ180000M64X119 是由 Micron Technology 生产的一款高性能动态随机存取存储器 (DRAM) 模块。该模块属于 RDIMM（寄存式双列直插内存模块）类别，广泛用于服务器和高性能计算系统中，以提供稳定、可靠的大容量内存支持。这款 DRAM 模块采用了先进的制造工艺，具备高速数据传输能力和低功耗特性。
类型: RDIMM
容量: 18GB
数据速率: 3200MT/s
电压: 1.2V
行地址位数 (Row Address Bits): 16
列地址位数 (Column Address Bits): 10
内存总线宽度: 64-bit
ECC 支持: 是
CAS 延迟 (CL): 22
工作温度范围: 0°C 至 85°C
35LSQ180000M64X119 是一款专为高性能计算环境设计的 RDIMM 内存模块，具有 18GB 的存储容量和 3200MT/s 的数据传输速率，能够满足现代服务器和数据中心对内存带宽的高要求。该模块采用 1.2V 低压供电设计，相比传统 1.5V 内存模块，能够在保证性能的同时显著降低功耗，延长系统运行时间并减少热量产生。
其 ECC（错误检查与纠正）功能能够检测并纠正单比特错误，极大地提升了系统的稳定性和可靠性，特别适合需要长时间运行的服务器和关键任务应用。模块的行地址位数为 16 位，列地址位数为 10 位，支持高达 64 位的内存总线宽度，进一步增强了内存的访问效率。
此外，该模块支持标准的 CAS 延迟（CL）为 22，确保在高速运行时仍能保持良好的稳定性和兼容性。工作温度范围为 0°C 至 85°C，适用于各种严苛的工业和数据中心环境。
35LSQ180000M64X119 主要应用于高性能服务器、企业级计算系统、云计算基础设施以及需要大量内存和高稳定性的数据中心设备。其 ECC 支持使其非常适合用于金融交易系统、大型数据库服务器、虚拟化平台和科学计算等场景。此外，该模块也适用于高端工作站和嵌入式系统，为需要大量内存和高可靠性的应用场景提供强有力的硬件支持。
M393A2G40CB1-CRC, HMA82GU6CJR8N-VK
