时间：2025/4/29 18:16:41
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35GH1197CL 是一款高性能的 GaN（氮化镓）功率晶体管，采用增强型设计。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特点，适用于高频电源转换应用。其封装形式为行业标准的表面贴装封装，便于大规模生产和使用。
35GH1197CL 主要用于需要高效率和小尺寸解决方案的应用场景，例如服务器电源、通信设备电源、DC-DC 转换器和无线充电系统等。
额定电压：650V
额定电流：12A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：35nC
最大工作温度：175°C
封装类型：TO-247-3
35GH1197CL 具备卓越的电气性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 高频操作能力：由于采用了先进的 GaN 技术，能够支持高达数 MHz 的开关频率，从而显著减小磁性元件的体积。
2. 极低的导通电阻：仅为 8mΩ，确保了在高电流负载下的高效运行。
3. 热稳定性：器件能够在最高 175°C 的结温下稳定工作，适应高温环境。
4. 小尺寸封装：与传统硅基 MOSFET 相比，该器件的封装更紧凑，节省 PCB 空间。
5. 内置 ESD 保护：增强了器件的抗静电能力，提高了系统的整体可靠性。
这些特点使 35GH1197CL 成为现代电力电子设计的理想选择。
35GH1197CL 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 数据中心和服务器电源：
- 实现更高效率和功率密度的 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 通信电源：
- 在基站和其他通信设备中提供高效的电源管理。
3. 消费电子产品：
- 用于快速充电器和适配器，支持更高的充电速度和效率。
4. 工业应用：
- 包括工业自动化设备、电机驱动器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 新能源：
- 太阳能逆变器、电动车车载充电器等新能源相关应用。
这款芯片通过其卓越的性能表现，在众多应用中提供了出色的解决方案。
35GH1197CP, 35NH0120GL
