35CE47AX 时间：2025/9/21 0:08:57 阅读：11

35CE47AX是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路以及负载控制等场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在较小的封装中实现较高的电流处理能力。35CE47AX主要面向工业控制、消费类电子设备以及通信系统中的DC-DC转换器和电机驱动应用。其设计优化了热性能和电气性能，适合在紧凑型PCB布局中使用，并能在较宽的温度范围内稳定工作。这款MOSFET通常用于替代传统双极型晶体管或继电器，在需要高频开关和低功耗运行的应用中表现出色。此外，35CE47AX具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统的可靠性与耐用性。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其优异的开关特性和耐压能力，35CE47AX常被集成于电池管理系统、电源逆变器和LED驱动模块中，以提升整体能效表现。

参数

型号：35CE47AX
　　制造商：Vishay Siliconix
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：12.8mΩ @ Vgs=10V, Id=9A
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=4.5V, Id=9A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　最大功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　通道数：单通道

特性

35CE47AX采用先进的沟槽栅极MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。该器件的低Rds(on)特性使其在大电流应用中能够有效降低发热，减少对散热设计的需求，有利于实现更紧凑的产品结构。其12.8mΩ的典型导通电阻在同级别产品中处于领先水平，确保在高负载条件下仍能保持优异的电性能稳定性。此外，该MOSFET具有快速的开关响应能力，上升时间和下降时间极短，适合高频开关操作，如在同步整流、DC-DC降压变换器和负载开关电路中发挥关键作用。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低控制器的驱动负担并提高电源转换效率。同时，输入电容和输出电容均经过优化，减少了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的可行性。35CE47AX还具备出色的热稳定性，得益于PowerPAK SO-8封装的高效散热设计，热量可以从顶部和底部同时传导至PCB，增强了热管理能力。
　　在可靠性方面，35CE47AX通过了严格的AEC-Q101认证测试，适用于汽车级应用环境。它具有较强的抗瞬态过压能力，并内置一定的ESD保护机制，可承受一定程度的人体模型（HBM）静电冲击，提升了生产装配过程中的安全性。此外，该器件对dv/dt和di/dt的变化率有良好的耐受性，减少了误触发的风险，保障了系统运行的稳定性。其宽泛的工作温度范围使其不仅适用于常规工业环境，也能在极端温度条件下可靠运行。

应用

35CE47AX广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合作为高效率开关元件用于DC-DC转换器，包括降压（Buck）、升压（Boost）及反激式拓扑结构。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，该MOSFET可用于电池供电路径控制、负载开关和多相电压调节模块（VRM），提供快速响应和低静态功耗。在电动工具和无人机等便携式设备中，35CE47AX可用于电机驱动电路，实现高效的能量传输和精确的速度控制。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车载充电器、LED照明驱动和辅助电源单元，满足严苛的环境要求和长期运行的可靠性需求。此外，在工业自动化系统中，35CE47AX常被用作固态继电器替代方案，执行继电器功能而无机械磨损问题，延长了设备使用寿命。其高速开关特性也使其适用于脉宽调制（PWM）控制电路，用于调节加热元件、风扇或LED亮度。
　　通信基础设施设备，如基站电源、网络交换机和路由器，也大量采用此类高性能MOSFET来构建高效的电源子系统。35CE47AX还可用于UPS不间断电源、太阳能微逆变器和储能系统中的功率切换环节，凭借其低导通损耗和良好热性能，有助于提升能源利用率并降低系统温升。总之，该器件因其综合性能优越，已成为现代高效能电源设计中的关键组件之一。