34NM60N 时间：2025/7/5 5:29:34 阅读：43

34NM60N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场合。
　　该器件通常封装在TO-220或TO-252等标准封装形式中，便于散热和集成设计。34NM60N凭借其出色的电气特性和可靠性，在工业控制、消费电子和汽车电子领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：34A
　　导通电阻：4.5mΩ
　　总功耗：140W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

34NM60N具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性。
　　4. 较小的栅极电荷和输出电容，提升了动态性能。
　　5. 支持大电流连续运行，适用于高负载场景。
　　6. 良好的热稳定性，确保在极端条件下稳定工作。

应用

34NM60N可以用于多种功率转换和控制应用，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率级组件。
　　3. DC-DC转换器中的同步整流器或主开关。
　　4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
　　5. 汽车电子中的逆变器和点火系统。
　　6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。