工作电压：10V ~ 20V
　　输出驱动电流：±1.5A（峰值）
　　高边悬浮电压：最大 600V
　　传播延迟时间：110ns（典型值）
　　上升/下降时间：15ns / 10ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　封装类型：14-PDIP、14-SOIC

3474BHR 具备多项显著特性，使其适用于各种高要求的功率转换应用。首先，该芯片采用高压自举技术，可有效驱动高边 MOSFET，无需外部隔离变压器，简化了电路设计并降低了成本。其次，其内置欠压锁定（UVLO）功能确保在电源电压不足时自动关闭输出，从而保护功率器件免受损坏。此外，3474BHR 的输出具有较高的驱动能力和快速响应时间，能够支持高频开关操作，提高系统效率并减少开关损耗。
　　芯片还具备良好的抗干扰能力，采用 CMOS 和 HVIC 技术，使其在高噪声环境中仍能保持稳定运行。其输出与输入信号之间具有电气隔离，增强了系统的可靠性和安全性。此外，3474BHR 的封装形式支持表面贴装（SOIC）和通孔插装（PDIP），便于灵活应用于不同电路板设计中。
　　另一个重要特性是其兼容性强，输入逻辑信号可与标准 CMOS 或 LSTTL 兼容，简化了与控制器（如微处理器、DSP 或 PWM 控制器）的接口设计。该芯片还具有低静态电流和高效率的特点，有助于降低系统功耗，提高整体能效。

3474BHR 主要用于需要高效驱动 MOSFET 或 IGBT 的功率电子系统中。其典型应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、同步整流电路、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及功率因数校正（PFC）电路等。在这些应用中，3474BHR 能够提供稳定的高边和低边驱动信号，确保功率器件在高频率下可靠运行，同时提升系统效率和响应速度。
　　例如，在电机控制应用中，3474BHR 可用于驱动 H 桥结构中的 MOSFET，实现电机的正反转、调速等功能。在电源转换系统中，该芯片可用于驱动同步整流 MOSFET，提高转换效率并减少热损耗。在 UPS 或逆变器系统中，3474BHR 可以与 PWM 控制器配合使用，生成精确的开关信号，确保输出波形稳定、高效。
　　由于其高可靠性与抗干扰能力，3474BHR 也被广泛应用于电动汽车（EV）、充电桩、太阳能逆变器等新能源领域。

IR2104、IR2106、IR2184、LM5101、MIC5020