制造商：American Technical Ceramics (ATC)
　　系列：34701
　　电容：1.2pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：100V
　　温度系数：NP0/C0G
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：0402（1005 公制）
　　介质材料：陶瓷（NPO）
　　直流电阻（DCR）：极高（典型用于射频旁路）
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 6GHz
　　Q 值：≥ 1200 @ 1GHz
　　损耗角正切（tanδ）：< 0.0001 @ 1MHz
　　安装类型：表面贴装（SMD）

34701N41250 的核心特性之一是其采用 NPO（也称为 C0G）类陶瓷介质材料，这种材料具有几乎为零的温度系数，确保电容值在 -55°C 至 +125°C 的整个工作温度范围内变化极小，通常不超过 ±30ppm/°C。这一特性使其在温度波动剧烈的应用环境中依然能维持精确的电容性能，避免因温度漂移导致的电路失谐问题。
　　其次，该电容器具备极高的 Q 值（品质因数），在 1GHz 频率下典型值可达 1200 以上，表明其在高频工作时能量损耗极低，非常适合用于高选择性滤波器、低相位噪声振荡器和高效功率放大器输出匹配网络中。高 Q 值意味着更窄的带宽和更高的频率选择性，有助于提升系统的信噪比和整体性能。
　　此外，34701N41250 拥有优异的频率响应特性，其自谐振频率（SRF）通常高于 6GHz，这意味着在大多数射频和微波频段内，它仍表现为纯电容行为，不会进入感性区域，从而保证了电路设计的可预测性和稳定性。这对于毫米波通信、X 波段雷达等高频应用至关重要。
　　该器件还具有极低的等效串联电阻（ESR）和损耗角正切（tanδ < 0.0001），进一步降低了功率损耗和发热风险，提高了系统效率。其严格的容差控制（±0.05pF）使得在需要极高精度的调谐电路中无需额外校准即可实现精准匹配。
　　结构上，34701N41250 采用多层陶瓷工艺，在微型 0402 封装内集成多个交错电极层，既实现了小型化又保持了高性能。同时，其端电极经过特殊处理，具备良好的焊接可靠性和抗热冲击能力，适合回流焊工艺，并能在振动、湿度和温度循环等恶劣环境下长期稳定工作。

34701N41250 被广泛应用于对电容器性能要求极为严苛的高频和超高频电子系统中。在射频前端模块中，它常用于功率放大器的偏置去耦和级间耦合，凭借其高 Q 值和低损耗特性，能够有效抑制噪声并提高信号纯净度。在压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）电路中，该电容器作为调谐元件使用，其稳定的电容值和温度特性有助于降低相位噪声并提升频率稳定性，从而改善通信链路的质量。
　　在微波滤波器设计中，尤其是带通和带阻滤波器的实现中，34701N41250 因其精确的容差和高 Q 特性，可用于构建高选择性滤波网络，有效分离相邻频段信号，减少干扰。此外，在天线匹配网络中，该电容器用于阻抗变换，确保射频功率的最大传输效率，广泛应用于基站、卫星通信终端和点对点无线回传系统。
　　在测试与测量设备领域，如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和信号发生器中，34701N41250 被用作参考电容或校准元件，因其长期稳定性和低老化率，可保障仪器测量精度的一致性。在航空航天和国防系统中，包括雷达、电子战（EW）系统和导弹制导系统，该电容器用于高频信号路径中的耦合、旁路和滤波，确保系统在极端环境下的可靠运行。
　　此外，该器件也适用于高速数字电路中的电源去耦，尤其是在 GHz 级时钟信号处理中，能够有效滤除高频噪声，提升信号完整性。由于其符合严格的军用和工业标准，34701N41250 成为高性能模拟和射频设计工程师的首选元件之一。

ATC 34701N41250J