33P19 时间：2025/9/2 12:31:44 阅读：14

33P19是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关和放大器应用。它是一种P沟道MOSFET，通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于中高功率应用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：-19A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.18Ω @ VGS = -10V
　　功耗（PD）：约83W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247、TO-263（D2PAK）等

特性

33P19的主要特性包括高耐压和大电流能力，使其适用于高功率应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。栅极驱动电压范围较宽，支持-10V至-20V的驱动电压，方便与各种驱动电路配合使用。其封装设计有助于良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
　　该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制。同时，其P沟道结构在高边开关应用中具有优势，可简化驱动电路设计。该器件的稳定性和耐用性使其在工业控制、电源供应和自动化系统中得到广泛应用。