类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：30A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.3mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-220、D2PAK、DFN等

33N02具有极低的导通电阻，这使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗并提高了效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频操作。此外，33N02具备良好的热稳定性，能够在较高的温度下稳定运行，适用于高功率密度的设计。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。此外，33N02的封装设计有助于良好的散热性能，便于安装在散热片或PCB上，提高热管理效率。
　　该器件的制造工艺采用了先进的沟槽技术，使得芯片结构更加紧凑，提高了单位面积的电流承载能力，同时降低了寄生电感和电阻，提升了整体性能。

33N02广泛应用于各种电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理电路以及电机驱动器。在服务器和通信设备的电源模块中，33N02被用于高效率的功率转换，以满足对能源效率和热管理的严格要求。此外，它也常用于工业自动化控制系统中的开关电源，提供稳定的电压和电流输出。
　　在电动汽车和新能源领域，33N02可用于电池充放电控制、能量回收系统以及逆变器模块，其高效的开关性能和低导通损耗使其成为高频功率变换器的理想选择。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中，33N02也常用于电源管理电路，以提高能效和延长电池寿命。

SiR33DP、IRL3303、FDMS3610、NTMFS4C10N、AO4406