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32N170 发布时间 时间:2025/8/6 0:25:05 查看 阅读:23

32N170 是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电源、电机控制和负载开关等高功率应用。该器件采用TO-220或DPAK等封装形式,具备较高的电流和电压承受能力,适用于中高功率电子系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):170V
  最大漏极电流(Id):32A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):通常低于80mΩ(在Vgs=10V时)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Ptot):约100W(取决于封装和散热条件)
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

32N170 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性,使其在高功率应用中表现出色。该器件具备快速开关特性,能够有效降低开关损耗,提高系统效率。此外,32N170 还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性,适用于各种恶劣工作环境。其栅极驱动要求较低,兼容常见的10V或12V驱动电路,便于集成到多种功率电子系统中。
  该MOSFET的封装设计有助于良好的散热性能,尤其在高电流应用中能够维持较低的温升,从而提高系统的稳定性和寿命。其广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统(BMS)、工业自动化和电源管理系统等领域。

应用

32N170 常见于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。此外,它也适用于工业控制系统、电动车电源管理模块、太阳能逆变器和高功率LED驱动电路等应用场合。

替代型号

IRF3205, FDP32N170, FQP32N170, STP32NF17

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