时间：2025/8/6 0:25:05
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32N170 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源、电机控制和负载开关等高功率应用。该器件采用TO-220或DPAK等封装形式，具备较高的电流和电压承受能力，适用于中高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：170V
最大漏极电流（Id）：32A（在25°C环境温度下）
导通电阻（Rds(on)）：通常低于80mΩ（在Vgs=10V时）
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Ptot）：约100W（取决于封装和散热条件）
工作温度范围：-55°C至+175°C
32N170 的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，使其在高功率应用中表现出色。该器件具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。此外，32N170 还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其栅极驱动要求较低，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于集成到多种功率电子系统中。
该MOSFET的封装设计有助于良好的散热性能，尤其在高电流应用中能够维持较低的温升，从而提高系统的稳定性和寿命。其广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、工业自动化和电源管理系统等领域。
32N170 常见于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。此外，它也适用于工业控制系统、电动车电源管理模块、太阳能逆变器和高功率LED驱动电路等应用场合。
IRF3205, FDP32N170, FQP32N170, STP32NF17
