电容值：220pF
　　容差：±10%
　　额定电压：100V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装形式：径向引线
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　损耗因子（DF）：≤2.5%

32D221K陶瓷电容器采用了C0G（NP0）介质材料，这使得它具有极其稳定的电气特性，特别是在温度变化时电容值的变化极小。这种高稳定性使其成为精密电路中的理想选择。
　　此外，该电容器的额定电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于各种高要求的电路环境。其工作温度范围宽广，从-55°C到+125°C，确保了在极端温度条件下的稳定运行。
　　在可靠性方面，32D221K具有较高的绝缘电阻（≥10,000MΩ）和较低的损耗因子（≤2.5%），这意味着它在高频应用中表现出色，能量损耗极低。这种特性使其在射频（RF）和微波电路中具有广泛的应用前景。
　　该电容器采用径向引线封装，适合通孔安装工艺，便于在PCB板上使用。这种封装方式也增强了电容器的机械稳定性，能够在振动和冲击环境中保持良好的性能。

32D221K陶瓷电容器因其优异的电气特性和高稳定性，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，该电容器常用于射频滤波器、振荡器和谐振电路中，确保信号传输的稳定性和清晰度。
　　在工业控制设备中，如PLC、变频器和传感器模块，32D221K可用于电源去耦、滤波以及信号处理电路，提升系统的整体性能和稳定性。
　　消费电子产品如音频设备、电视和音响系统中，该电容器用于音频信号滤波和耦合电路，确保音质的纯净和稳定。
　　汽车电子系统中，例如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和传感器模块，32D221K因其宽工作温度范围和高可靠性，成为理想选择。
　　此外，在航空航天和军事设备中，该电容器因其高稳定性和耐环境能力，被用于高精度电路和关键控制系统中。

32D221K可以替代的型号包括Vishay的32D221J、32D221M以及AVX的932D221KRF等型号。这些替代型号在电容值、额定电压和封装形式上与32D221K相似，可根据具体应用需求进行选择。