类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向重复峰值电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：32A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：320A（单个半波）
　　正向电压降（VF）：典型值1.5V @ 32A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 25°C，最大200μA @ 150°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W

32CTQ030的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性，这种宽禁带材料赋予了器件卓越的电学和热学性能。首先，该二极管没有PN结，而是采用肖特基势垒结构，因此不存在少数载流子存储效应，反向恢复电荷（Qrr）几乎为零。这一特性意味着在高频开关应用中不会产生反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，极大地提升了系统效率，尤其是在连续导通模式（CCM）PFC电路中表现尤为突出。相比传统的硅快恢复二极管或超快恢复二极管，32CTQ030可以显著降低电磁干扰（EMI）和电压应力，减少对缓冲电路的需求，简化系统设计。
　　其次，碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度，使得器件可以在更薄的漂移层下实现高耐压，同时保持较低的导通电阻和正向压降。尽管其正向压降略高于理想值，但在高温工况下仍能维持稳定的VF特性，不会像硅器件那样随温度升高而显著增加，从而保证了高温环境下的能效稳定性。此外，32CTQ030具备出色的动态热响应能力，能够承受快速的温度循环变化，适用于频繁启停或负载波动较大的工业设备。
　　另一个重要特点是其高温工作能力。该器件可在高达175°C的结温下持续运行，允许系统在更高环境温度下工作或减小散热器尺寸，有利于实现小型化和轻量化设计。TO-247封装提供了良好的电气隔离和热传导路径，便于安装在散热器上，并支持多种焊接和压接工艺。综合来看，32CTQ030凭借其高频低损、高温稳定、高可靠性等优点，已成为新一代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

32CTQ030主要应用于需要高效率、高频率和高温稳定性的电力电子系统中。其典型应用场景包括服务器电源、通信电源、工业级开关电源（SMPS）中的输出整流和续流二极管位置，尤其在有源钳位反激、LLC谐振变换器和全桥拓扑中表现出色。在功率因数校正（PFC）电路中，无论是升压式（Boost PFC）还是图腾柱（Totem-Pole PFC）架构，32CTQ030都能有效降低开关损耗，提升整体能效至98%以上，满足80 PLUS钛金等严苛能效标准。
　　在可再生能源领域，该器件被广泛用于光伏（PV）逆变器的直流侧旁路和交流侧整流环节，利用其低损耗和高可靠性延长系统寿命并提升发电效率。在电动汽车（EV）车载充电机（OBC）和直流快充桩中，32CTQ030用于高压DC-DC变换器和辅助电源模块，帮助实现高功率密度和高效率的能量转换。此外，在电机驱动系统、不间断电源（UPS）、储能系统（ESS）以及感应加热设备中，该二极管也发挥着重要作用。
　　由于其出色的抗浪涌能力和热稳定性，32CTQ030还能胜任电网波动较大或工作环境恶劣的应用场合。例如，在高温厂房、户外设备或高海拔地区部署的电源系统中，传统硅器件可能因温升过高而导致失效，而32CTQ030则能保持稳定运行。总之，凡是追求高效率、小型化和长寿命的现代电力电子装置，都是32CTQ030的理想应用平台。

CREE/II-VI 的 C3D32065D
　　Wolfspeed 的 C3D32065D
　　ON Semiconductor 的 FFSH3065B
　　Microchip (Microsemi) 的 MSC032S60C2
　　STMicroelectronics 的 STPSC30H065CW
　　Infineon 的 IDW32S65C