类型：肖特基金属-半导体二极管
　　配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：3.0A（每条支路）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.48V @ 1.5A，最大值0.55V @ 1.5A（Tc=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大200μA @ 40V（Ta=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2（阴极共接）

31DQ04的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了远低于传统硅PN结二极管的正向导通压降，通常在0.48V左右（1.5A条件下），显著降低了功率损耗，提高了电源转换效率。这一特性使其特别适用于低压大电流应用场景，如5V或3.3V供电系统的整流与续流。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的储存效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr < 1ns），有效减少了高频开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统整体稳定性。
　　该器件的双共阴极结构允许两个二极管共享一个公共阴极端子，简化了PCB布线，在同步整流、电压钳位和输入反接保护电路中表现出色。例如，在DC-DC转换器中可用作输出整流二极管，减少热量产生；在H桥驱动电路中作为续流二极管保护MOSFET免受感性负载反电动势冲击。同时，31DQ04具有较高的峰值浪涌电流承受能力（达50A），可在瞬态过流事件中提供可靠保护，增强了系统的鲁棒性。
　　SMA封装不仅体积小巧（约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm），还具备良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热，确保长时间高负载运行下的可靠性。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，适用于对质量一致性有较高要求的应用环境。此外，产品经过严格的晶圆级和封装级测试，保证批次间的参数一致性，降低生产良率风险。

31DQ04常用于各类需要高效能、小尺寸整流元件的电子设备中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低输出电压、高输出电流的AC-DC适配器和USB充电模块中发挥关键作用。其低VF特性有助于提升能效，满足能源之星或欧盟CoC等能效规范要求。在DC-DC降压或升压变换器中，它可作为续流二极管或防倒灌二极管使用，防止电感反冲损坏控制芯片。
　　在电池供电设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，31DQ04可用于电池充放电路径管理，实现自动切换主辅电源或防止反向充电。其快速响应能力也使其适用于高频信号整流和检波电路，如射频识别（RFID）读写器前端、红外接收模块等。此外，在电机驱动电路中，该器件可连接在H桥的每个开关节点上，为电机绕组产生的反电动势提供泄放通路，从而保护功率晶体管。
　　工业控制领域中，31DQ04可用于PLC输入接口的极性保护、传感器供电隔离以及继电器线圈的反激吸收。在网络通信设备中，常用于PoE（以太网供电）模块的整流与防反接设计。由于其表面贴装封装兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产，广泛应用于路由器、交换机、安防摄像头等设备的电源部分。其绿色环保特性也使其成为出口型电子产品优选的二极管解决方案。

MBR340T1G
　　SS34
　　SK34
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