类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：10V
　　最大直流反向电压（VR）：10V
　　平均整流电流（Io）：15A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：60A
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 7.5A
　　最大反向漏电流（IR）：2mA @ 10V
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMP (DO-221AD)
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：3
　　热阻（RθJA）：2.5°C/W
　　热阻（RθJC）：0.8°C/W

30WQ10FNTRPBF的核心特性之一是其超低正向导通压降，典型值仅为450mV，在7.5A的工作电流下显著降低了功率损耗，提升了电源系统的整体能效。这一特性源于其采用的高性能肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，实现了极快的开关速度。由于没有反向恢复时间（trr ≈ 0），该器件在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗和电磁干扰，特别适合用于高频DC-DC转换器、同步整流电路以及电池供电设备中的电源管理模块。
　　另一个关键优势是其高电流处理能力。每个二极管可承受高达15A的平均整流电流，并能耐受60A的峰值浪涌电流，确保在瞬态负载或启动过程中具备足够的安全裕量。这种高电流能力结合低热阻设计（RθJC为0.8°C/W），使得器件即使在高功率密度应用中也能有效散热，避免过热失效。此外，SMP封装具有较小的占板面积和较低的高度，便于实现紧凑型设计，同时支持自动化贴片生产，提升制造效率。
　　该器件还具备出色的热稳定性和环境适应性，可在-55°C至+125°C的结温范围内稳定工作，适用于工业、汽车和消费类电子等多种严苛环境。其反向漏电流在10V偏压下最大为2mA，虽然相较于高压二极管略高，但在10V低电压应用场景中仍处于可接受范围。共阴极结构使其特别适用于双路输出整流或并联使用以提高电流容量。总之，30WQ10FNTRPBF凭借其低VF、高电流、快恢复和小尺寸等综合优势，成为现代高效电源系统中理想的整流与保护元件。

30WQ10FNTRPBF广泛应用于需要高效、高频整流的电源系统中。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备的DC-DC转换器，用于将主电源电压降至处理器、内存和其他低电压组件所需的电平。其低正向压降有助于延长电池续航时间并减少发热。该器件也常用于服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），在这些系统中，多个并联的30WQ10FNTRPBF可提供大电流输出，满足高性能CPU和GPU的供电需求。
　　此外，它还适用于电源适配器、充电器和嵌入式电源模块中的次级侧整流电路，尤其是在低压大电流输出（如5V/3A以上）的设计中表现出色。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于防止电池反接或实现充放电路径隔离。由于其快速响应特性，也可作为高频逆变器或PWM控制电路中的续流二极管，抑制感性负载产生的反电动势，保护开关器件。在汽车电子领域，尽管该器件并非AEC-Q101认证产品，但仍可用于非关键性的车载电源模块中，例如信息娱乐系统或辅助电源单元。其表面贴装封装兼容回流焊工艺，适合大规模自动化生产，进一步拓展了其在消费电子和工业控制领域的应用前景。

MBR1510U
　　SB15100
　　SS10F10CT