产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：18V
　　平均整流电流（IO）：30A（单个二极管）
　　峰值脉冲电流（IFSM）：150A
　　正向压降（VF）：典型值0.48V（在15A, 25°C时），最大值0.55V（在30A, 150°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在18V, 25°C时），最大100μA（在18V, 125°C时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值≤10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：SMC（DO-277）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（RθJA）：约2.0°C/W（依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约0.4°C/W

30TPSMC18CA的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结代替传统的PN结，从根本上消除了少数载流子的存储效应，从而实现了极快的开关速度和极低的反向恢复电荷。这一特性使得器件在高频开关电源中表现尤为出色，能够显著降低开关损耗，提升系统效率。尤其是在DC-DC降压变换器中作为续流二极管或同步整流的辅助二极管使用时，其低正向压降可有效减少导通期间的能量损耗，对于提升电池供电设备的续航能力具有重要意义。该器件的正向压降在典型工作条件下仅为0.48V左右，在30A大电流下也控制在0.55V以内，远低于普通硅整流二极管的0.7V~1.2V水平，因此在大电流应用场景中节能效果显著。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和高功率密度设计。尽管封装尺寸较小（SMC），但其内部结构优化了热传导路径，使结到外壳的热阻（RθJC）低至约0.4°C/W，配合良好的PCB铜箔散热设计，可有效将热量传导至外部环境，避免因局部过热导致的性能下降或器件失效。此外，该器件支持高达30A的持续平均整流电流，且能承受150A的峰值浪涌电流，展现出强大的瞬态负载适应能力，适用于存在突发大电流冲击的应用场景，如电机驱动、电源启动等。共阴极双二极管结构还增强了电路设计的灵活性，可用于全波整流、电压倍增、钳位保护等多种拓扑结构。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿气和机械振动能力，适合在汽车电子、工业控制、通信电源等领域长期稳定运行。

30TPSMC18CA广泛应用于需要高效、高频整流的现代电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备的DC-DC转换器，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块，其中该器件作为同步整流的续流二极管，能够有效降低功耗并提升转换效率。在服务器和数据中心的高密度电源供应单元（PSU）中，该器件用于次级侧整流，帮助实现高能效和小型化设计。此外，它也常用于分布式电源架构中的板载电源（POL）转换器，特别是在多相 buck 转换器中承担关键的续流功能。在太阳能充电控制器、LED驱动电源和电池管理系统（BMS）中，该器件凭借其低 VF 和快速响应特性，可有效防止反向电流流动并提高系统稳定性。工业自动化设备中的开关模式电源（SMPS）、UPS不间断电源以及电动工具的直流电源模块也是其重要应用领域。由于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，30TPSMC18CA同样适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块和车载充电机（OBC）中的辅助电源部分。在这些环境中，器件需承受较大的温度波动和电气应力，而30TPSMC18CA的设计正好满足此类严苛条件下的长期稳定运行需求。

VS-30TPSM180CA
　　MBR3018CT