时间:2025/12/26 23:54:00
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30TPSMC13A是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装型TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)整流二极管。该器件采用先进的沟槽MOS势垒肖特基技术,能够在保持低正向电压降的同时显著提升反向漏电流的稳定性,尤其在高温环境下表现出优异的性能。该二极管的额定平均正向整流电流为30A,最大重复峰值反向电压为130V,适用于高效率、高密度的电源转换系统。其封装形式为TO-277B(也称为D-PAK),具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化表面贴装工艺。
30TPSMC13A的设计旨在替代传统快恢复二极管或标准肖特基二极管,在降低功耗、提高系统效率方面具有明显优势。由于其无铅且符合RoHS指令,该器件广泛应用于消费类电子、工业电源、电信设备及DC-DC转换器中。此外,该器件具备较低的结电容和快速开关特性,使其在高频开关应用中表现突出,有效减少开关损耗并提升整体能效。
器件类型:肖特基二极管
配置:单只
工作温度:-55°C ~ 175°C
存储温度:-55°C ~ 150°C
最大平均正向整流电流:30A
峰值重复反向电压:130V
最大直流阻断电压:130V
最大正向电压:0.92V @ 30A
最大反向漏电流:1.5mA @ 125°C
热阻:1.4°C/W(RθJC)
封装/外壳:TO-277B(D-PAK)
安装类型:表面贴装
引脚数量:3
反向恢复时间:典型值2ns
结温:175°C
30TPSMC13A的核心技术基于Vishay专有的TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)结构,该技术通过在硅片上构建深沟槽MOS结构来形成势垒,从而有效抑制传统肖特基二极管在高温下漏电流急剧增加的问题。与标准肖特基二极管相比,TMBS技术能够在不牺牲正向导通性能的前提下显著改善反向阻断能力,使器件在125°C时的最大反向漏电流控制在1.5mA以内,极大提升了高温环境下的可靠性。
该器件的正向压降极低,典型值仅为0.92V(在30A、125°C条件下),这意味着在大电流工作状态下其导通损耗远低于普通快恢复二极管或标准PN结二极管,有助于提升电源系统的整体效率,特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中优势明显。同时,由于其几乎无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),反向恢复时间极短(典型值2ns),在高频开关电路中可大幅减少开关损耗和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性和能效。
TO-277B封装不仅提供了优良的散热路径,还支持全自动贴片生产,适用于现代高密度PCB布局。其热阻RθJC仅为1.4°C/W,表明从结到外壳的热传导效率非常高,能够有效将工作热量传递至PCB,避免局部过热。此外,该器件具备高浪涌电流承受能力,能够在瞬态负载变化或启动过程中提供可靠的保护。
30TPSMC13A符合AEC-Q101汽车级认证标准,表明其在极端温度循环、湿度、振动等恶劣环境下仍能保持长期稳定运行,因此不仅可用于工业和通信电源,也可用于车载电源系统。其无卤素设计和符合RoHS的环保特性也满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看,该器件是追求高效率、高可靠性和小型化设计的理想选择。
30TPSMC13A广泛应用于各类需要高效整流和低损耗的电力电子系统中。常见应用场景包括:服务器和通信设备中的高效率DC-DC转换器,特别是在+12V转5V或3.3V的同步整流拓扑中作为续流二极管使用,能够显著降低导通损耗,提升转换效率;工业电源模块中的输出整流环节,利用其低正向压降和高温稳定性,确保长时间运行的可靠性;太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中的防反接和续流保护电路,得益于其高浪涌能力和快速响应特性,可有效防止能量回灌造成的损坏。
此外,该器件也适用于电动汽车车载充电机(OBC)、DC-DC变换器以及电机驱动系统中的箝位和续流功能。在这些应用中,高频开关带来的热应力和电磁干扰问题尤为突出,而30TPSMC13A凭借其接近零的反向恢复电荷和优异的热性能,能够有效缓解这些问题,延长系统寿命。同时,其表面贴装封装便于自动化生产,适合大规模制造,广泛用于消费类电子产品如高端笔记本电脑、游戏主机和网络路由器的电源管理单元中。
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"30TQ0150",
"VS-30TPSM130A",
"STPS30M130SF"
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