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30N06-Q 发布时间 时间:2025/7/23 20:26:08 查看 阅读:6

30N06-Q 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管设计用于高电流、高效率的电源管理应用,例如电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制以及各种开关电源系统。30N06-Q 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适合在需要高性能和可靠性的环境中使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):30A(在 Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大 40mΩ(在 Vgs=10V 时)
  最大功耗(Ptot):94W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220 或 I2Pak

特性

30N06-Q 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得该器件在导通状态下的功率损耗极低,从而提高了系统的整体效率。此外,它具有高电流处理能力,能够承受较大的负载电流,适用于高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 到 20V 之间工作,使其兼容多种驱动电路。30N06-Q 采用耐用的 TO-220 或 I2Pak 封装,具有良好的热管理和机械稳定性,适用于恶劣的工作环境。此外,该 MOSFET 还具有快速开关特性,能够实现高效的高频开关操作,减少开关损耗。
  该器件的热阻(Rth)较低,有助于在高功率应用中保持良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。同时,其封装设计提供了良好的电气隔离和机械强度,增强了在高电压和高电流环境下的可靠性。30N06-Q 还具有较强的抗过载和短路能力,能够在短时间内承受过高的电流而不损坏,提升了系统的安全性。
  由于其高可靠性和优异的电气性能,30N06-Q 广泛应用于各种电源管理系统、工业控制设备、电动车和电池管理系统等领域。

应用

30N06-Q 常用于各种电源管理与转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动和负载开关。它适用于需要高效能、高可靠性的工业设备,如自动化控制系统、不间断电源(UPS)、电动车充电器以及电池管理系统(BMS)。在汽车电子领域,30N06-Q 可用于电动车的电机控制器、车载充电器和车载电源转换器。此外,它也可用于消费类电子产品,如高性能电源适配器、LED 照明驱动器和家用电器的电源控制模块。在工业应用中,30N06-Q 可作为大电流负载的开关器件,适用于自动化设备中的继电器替代、电机控制和高功率 LED 驱动电路。

替代型号

IRF3205, STP30NF06, FDP30N06, SiR432DP-T1-GE3

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