30N04是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
其额定电压为40V,最大连续漏极电流可达30A。由于其出色的性能参数和紧凑的封装形式,这款MOSFET在中小功率电子设计中非常受欢迎。
额定电压:40V
最大连续漏极电流:30A
导通电阻:8mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:16nC(典型值)
总耗散功率:79W(在Tc=25°C时)
工作结温范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-252
30N04具备低导通电阻,有助于减少功率损耗并提升系统效率。同时,它还拥有快速开关速度,适合高频应用环境。
此外,其栅极阈值电压较低,便于使用常见的逻辑电平信号直接驱动,简化了电路设计。
该器件的热性能良好,能够在较高的温度范围内稳定工作,满足各种严苛的应用需求。
30N04广泛应用于多种电力电子场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级控制。
5. 各种工业自动化设备及家用电器中的功率控制部分。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5500
AO3400