时间：2025/6/4 2:14:40
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30N04是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
其额定电压为40V，最大连续漏极电流可达30A。由于其出色的性能参数和紧凑的封装形式，这款MOSFET在中小功率电子设计中非常受欢迎。
额定电压：40V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻：8mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：16nC（典型值）
总耗散功率：79W（在Tc=25°C时）
工作结温范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252
30N04具备低导通电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。同时，它还拥有快速开关速度，适合高频应用环境。
此外，其栅极阈值电压较低，便于使用常见的逻辑电平信号直接驱动，简化了电路设计。
该器件的热性能良好，能够在较高的温度范围内稳定工作，满足各种严苛的应用需求。
30N04广泛应用于多种电力电子场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级控制。
5. 各种工业自动化设备及家用电器中的功率控制部分。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP5500
AO3400
