30LJQ100 时间：2025/12/26 20:12:35 阅读：7

30LJQ100是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用共阴极配置，专为高效能、低电压整流和续流应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，共享一个公共阴极端子，适用于需要高效率和快速开关响应的电源电路中。30LJQ100以其低正向压降、高反向击穿电压以及良好的热稳定性而著称，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器、电池充电系统以及便携式电子设备中。其封装形式为SMA（DO-214AC），具有较小的占板面积，适合高密度PCB布局，并具备良好的散热性能。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　平均整流电流（IO）：30A
　　每个二极管的平均整流电流（IF(AV)）：15A
　　正向压降（VF）：典型值0.78V（在15A时）
　　最大正向压降（VF）：0.90V（在15A时）
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA（在100V、25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装

特性

30LJQ100的核心优势在于其卓越的电学性能与紧凑的封装设计相结合，使其成为高功率密度电源系统中的理想选择。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，显著降低了正向导通压降（VF），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。在15A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.78V，最大不超过0.90V，远低于传统PN结二极管，尤其适用于低压大电流应用场景，如12V或24V供电系统中的整流与续流。
　　其次，30LJQ100具备高达100V的反向耐压能力，能够承受瞬态电压波动，确保在复杂电磁环境中稳定运行。同时，其反向漏电流控制在较低水平（最大2.0mA @ 100V, 25°C），有助于减少静态功耗，提升待机效率。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电问题，但30LJQ100通过优化半导体材料与结构设计，在保持低VF的同时有效抑制了漏电流的增长，实现了性能上的良好平衡。
　　此外，该器件支持高达30A的峰值浪涌电流，具备出色的抗冲击能力，能够在启动或负载突变期间可靠运行。每个二极管可承载15A的平均整流电流，双通道共阴极结构简化了PCB布线，特别适用于全波整流或双路同步整流拓扑。其宽泛的工作结温范围（-65°C 至 +175°C）表明其在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于工业级甚至部分汽车级应用环境。
　　SMA封装不仅节省空间，还提供了良好的热传导路径，便于通过PCB铜箔进行散热。器件符合AEC-Q101车规可靠性认证，增强了其在汽车电子中的适用性。综上所述，30LJQ100凭借其高电流能力、低损耗、高可靠性及紧凑封装，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

应用

30LJQ100广泛应用于各类需要高效整流与快速恢复响应的电源系统中。典型应用包括DC-DC升压/降压转换器中的输出整流与续流二极管，尤其是在非隔离式Buck或Boost拓扑中，其低正向压降可显著提升转换效率。在电源适配器、LED驱动电源、笔记本电脑电源模块以及通信设备电源单元中，该器件常用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管以降低功耗。
　　由于其共阴极双二极管结构，30LJQ100也适用于全波整流电路，特别是在小功率离线式开关电源中作为桥式整流的替代方案之一，简化电路结构并减少元件数量。在逆变器系统中，该器件可用于防止感性负载产生的反电动势对主开关器件造成损害，充当续流或钳位二极管角色。
　　此外，30LJQ100在电池管理系统（BMS）、太阳能充电控制器、电动工具电源模块以及车载电子设备中也有广泛应用。其高浪涌电流能力和良好的热稳定性使其能够应对频繁启停和负载变化带来的电气应力。在便携式设备中，得益于SMA小型化封装，可在有限空间内实现高性能整流功能。总体而言，凡涉及低压大电流、高效率要求的场合，30LJQ100均表现出优异的适用性和可靠性。