时间：2025/12/28 20:30:34
阅读：12
30KPA160A是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高电压应用场景设计。它具备优异的导通性能和开关特性，广泛应用于工业电源、电机控制、电动车驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的平面技术制造，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：160V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
工作温度范围：-55°C～175°C
封装形式：TO-220、TO-247等
功率耗散（Pd）：200W（最大值）
输入电容（Ciss）：约1200pF
30KPA160A具备出色的导通和开关性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高雪崩能量承受能力，增强了在突发高压冲击下的可靠性。
其封装形式适用于良好的散热设计，确保在高电流工作条件下保持稳定。该MOSFET具备较高的dv/dt耐受能力，有助于减少开关过程中可能产生的电压尖峰。
30KPA160A还具备良好的温度稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。此外，其快速开关特性有助于提高系统响应速度，适用于高频开关应用。
30KPA160A广泛应用于各种高功率电子系统，包括电动车驱动系统、直流电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业自动化控制设备、开关电源（SMPS）等。其优异的导通特性和高耐压能力使其成为中高功率DC-DC转换器和H桥驱动电路的理想选择。
IXTA30N160、IRF3205、SiHF30N160E、STP30NF16
