类型：中心抽头双二极管
　　技术：肖特基势垒
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
　　最大直流阻断电压（VR）：80V
　　最大RMS电压（VRMS）：56V
　　最大直流正向电流（IF）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（半正弦波，8.3ms）
　　正向电压降（VF）：典型值0.52V（在15A, 100°C时）；最大值0.6V（在15A, 100°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在80V, 25°C时）；最大10mA（在64V, 100°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +100°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：TO-277（D-Pak）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　热阻结到外壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　热阻结到环境（RθJA）：约35°C/W（依PCB布局而定）

30CTQ080STRRPBF的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与几乎为零的反向恢复时间，从而显著降低了开关过程中的能量损耗，提高了电源系统的整体效率。这种低VF特性对于大电流应用场景尤为重要，能够有效减少发热，提升功率密度。其30A的高电流承载能力使其能够在高负载条件下稳定运行，适用于要求严苛的工业级和通信类电源设计。
　　该器件的中心抽头结构设计特别适用于全波整流电路，在DC-DC变换器中可替代两个分立二极管，简化电路布局并节省PCB空间。此外，TO-277封装具有良好的热传导性能，通过散热焊盘可将热量高效传递至PCB，进一步增强其在高功率密度环境下的可靠性。器件还具备优异的抗浪涌能力，能承受高达150A的瞬态浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　30CTQ080STRRPBF的工作结温范围宽达-65°C至+100°C，确保了其在极端温度环境下仍能保持稳定的电气性能。同时，其低反向漏电流设计在高温下依然表现良好，减少了待机状态下的功耗。作为符合RoHS和无卤素标准的产品，它满足现代绿色电子产品的环保要求，适用于全球市场的合规性需求。其表面贴装封装形式也便于自动化生产，提升了制造效率与产品一致性。

30CTQ080STRRPBF主要应用于需要高效率、高电流整流的电源系统中。常见于服务器和数据中心的高密度DC-DC电源模块，作为次级侧整流元件，发挥其低损耗优势以提升能效。在电信基础设施设备如基站、交换机和路由器的电源单元中，该器件用于实现稳定可靠的低压大电流输出。此外，它也广泛用于工业电源、UPS不间断电源系统、焊接设备以及太阳能逆变器等电力电子装置中。
　　由于其快速响应特性和低正向压降，该器件非常适合用于高频开关电源拓扑结构，例如同步整流Buck、Boost及LLC谐振转换器的副边整流环节。在便携式大功率充电设备和电动汽车车载充电器（OBC）的辅助电源中也有潜在应用价值。其紧凑的封装形式和高功率处理能力使其成为追求小型化和高效化的现代电源设计的理想选择。

MBR30H80CT-RF
　　VS-30CTQ080-M3
　　STPS30L80UHF
　　FDL30H80CT