型号：30CTQ080S
　　制造商：ON Semiconductor
　　器件类型：肖特基势垒二极管（双共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
　　平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　正向压降（VF）：典型值0.52V（在IF=15A时）
　　最大正向压降（VF(max)）：0.58V（在IF=30A, TC=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大2.0mA（在VR=80V, TC=25°C），高温下不超过10mA（TC=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W
　　封装形式：TO-247-3

30CTQ080S的核心优势在于其采用的先进肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速的开关响应能力，显著降低了功率损耗并提升了电源系统的整体能效。其双共阴极配置允许两个独立的肖特基二极管共享同一阴极连接，非常适合用于同步整流或双路输出整流拓扑中。这种结构不仅简化了PCB布局，还减少了寄生电感的影响，有助于提升高频工作的稳定性。
　　该器件的最大重复反向电压为80V，适用于常见的12V、24V和48V直流母线系统，在电信电源、服务器电源及工业控制系统中表现出色。即使在满载条件下，其正向压降仍保持在较低水平，有效减少发热，从而降低散热设计难度。此外，得益于宽泛的工作结温范围（最高可达+175°C），30CTQ080S可在恶劣的高温环境中长期可靠运行，特别适合密闭空间或自然冷却的应用场景。
　　30CTQ080S的TO-247封装具备优良的热传导性能，能够通过外接散热片将内部热量迅速导出，确保长时间大电流工作下的热稳定性。同时，该封装具有较高的爬电距离和电气隔离能力，增强了系统安全性。器件还具备良好的抗浪涌电流能力，可承受瞬态过流冲击，提高了系统鲁棒性。作为通过AEC-Q101认证的产品，它在汽车应用如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电机驱动电源中也具备高度可靠性。综合来看，30CTQ080S凭借其低损耗、高可靠性和优异的热性能，成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。

30CTQ080S广泛应用于各类高效率电源转换系统中，尤其适用于需要低正向压降和高电流处理能力的场合。典型应用包括通信电源系统中的二次侧整流电路，特别是在48V转12V的中间总线转换器（IBC）中发挥重要作用。在服务器和数据中心的高密度DC-DC电源模块中，该器件用于同步整流拓扑，帮助实现95%以上的转换效率。此外，它也被大量用于工业用开关电源（SMPS），如焊接设备、激光电源和UPS不间断电源系统中，承担主整流或续流功能。
　　在新能源领域，30CTQ080S可用于光伏逆变器中的旁路和防反接电路，保障太阳能板组串的安全运行。在电动汽车相关电子产品中，该器件适用于车载充电机（OBC）和辅助电源单元（APU），满足车规级对温度、振动和寿命的严苛要求。由于其具备优异的高温性能和低漏电流特性，也可用于高温环境下的电源管理系统，如石油钻探设备或航空航天电子装置。另外，在大功率LED照明驱动电源中，30CTQ080S作为输出整流二极管，能有效减少能量损耗，延长灯具使用寿命。总之，凡是对效率、热管理和长期可靠性有较高要求的中等电压、大电流应用场景，30CTQ080S均是一个极具竞争力的解决方案。

MBR30H80CT