30CTQ050PBF 时间：2025/12/26 20:39:20 阅读：8

30CTQ050PBF是一款由Vishay Semiconductor生产的超快软恢复肖特基整流二极管，采用TO-247AC封装。该器件专为高效率电源转换应用而设计，尤其适用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及需要低正向压降和快速恢复特性的电路中。30CTQ050PBF集成了两个独立的50V额定电压的肖特基二极管芯片，以共阴极配置方式封装在一个模块内，使得其在双二极管拓扑结构中具有高度集成优势。该器件符合RoHS指令要求，并采用无铅（Pb-free）工艺制造，标有"PbF"后缀以表明其环保属性。由于采用了先进的平面技术，30CTQ050PBF具备出色的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持良好的电气性能。其金属-硅接触结构提供了较低的正向导通压降（VF），典型值在1.0V左右，从而显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。此外，该器件具有较高的浪涌电流承受能力，适合应对瞬态负载变化或启动过程中的大电流冲击。

参数

类型：双肖特基整流二极管
　　配置：共阴极
　　反向重复峰值电压（VRRM）：50 V
　　平均整流电流（IO）：30 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：250 A
　　正向压降（VF）：1.1 V（典型值，@ 30 A, 125°C）
　　反向漏电流（IR）：1.0 mA（最大值，@ 50 V, 125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +175 °C
　　封装/外壳：TO-247AC
　　安装类型：通孔
　　引脚数：3
　　冷却方式：带散热片焊接安装
　　反向恢复时间（trr）：≤ 30 ns（典型值）
　　热阻（RθJC）：1.0 K/W（最大值）

特性

30CTQ050PBF的核心特性之一是其超快的反向恢复时间（trr），典型值不超过30纳秒，这使其能够在高频开关应用中有效减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）的产生。这种快速恢复能力源于其肖特基势垒结构，与传统的PN结二极管相比，不存在少数载流子存储效应，因此在从导通状态切换到截止状态时几乎没有反向恢复电荷（Qrr）。这一特性对于提高电源系统的动态响应速度和能效至关重要，尤其是在硬开关拓扑如Boost PFC、全桥/半桥LLC谐振转换器中表现尤为突出。
　　另一个关键特性是其低正向压降（VF），在30A的工作电流下，典型值仅为1.1V，即使在125°C的高温条件下也能保持相对稳定。这意味着在大电流导通状态下，器件本身的功耗（I×V）被控制在较低水平，减少了热量积累，提升了系统的热管理效率。同时，该器件具有优异的热稳定性，其最大结温可达+175°C，配合TO-247AC封装良好的热传导性能（热阻RθJC ≤ 1.0 K/W），可确保长时间高负载运行下的可靠性。
　　30CTQ050PBF还具备出色的抗浪涌能力，能够承受高达250A的非重复峰值电流，适用于频繁启停或存在突加载的应用场景。其共阴极双二极管结构设计便于在中心抽头整流、同步整流副边侧或倍压电路中使用，简化了PCB布局并减少了元件数量。此外，该器件通过AEC-Q101汽车级认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于工业级和部分车载电源系统。其无铅化制造工艺不仅符合环保法规要求，也增强了焊点的机械强度和耐久性。

应用

30CTQ050PBF广泛应用于各类高性能电源系统中，特别是在需要高效率、高频率和高可靠性的场合。它常用于通信电源、服务器电源、工业电源模块等高端开关电源（SMPS）中作为输出整流二极管，利用其低VF和快速恢复特性来提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器中，特别是低压大电流输出的设计中，该器件可用于同步整流替代方案或辅助整流路径，优化功率密度和热分布。
　　在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，30CTQ050PBF可用于直流母线钳位、续流或能量回馈回路，凭借其高浪涌能力和高温稳定性保障系统在异常工况下的安全运行。此外，在电机驱动器和变频器中，该器件可作为IGBT或MOSFET的续流二极管，提供快速可靠的反向电流泄放通道，防止电压尖峰损坏主开关器件。
　　由于其TO-247AC封装易于安装在大型散热器上，适合大功率应用场景，因此也被广泛用于焊接设备、医疗电源、铁路信号电源等对安全性要求较高的领域。在一些高功率LED驱动电源中，也可用作次级侧整流元件，以实现高效稳定的直流输出。总之，凡是需要在50V耐压范围内实现高效、快速整流的电力电子系统，30CTQ050PBF都是一个极具竞争力的选择。