型号：30CTQ040
　　制造商：ON Semiconductor (安森美)
　　封装类型：TO-247
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A
　　正向压降（VF）典型值：0.52V @ 15A, 125°C
　　最大正向压降（VF）：0.58V @ 15A, 125°C
　　反向漏电流（IR）最大值：2.0mA @ 40V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　热阻抗（RθJC）：1.0°C/W 典型值

30CTQ040的核心特性之一是其超低的正向导通压降，这直接提升了电源系统的转换效率。在15A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.52V，最大不超过0.58V，远低于传统硅PN结二极管，这意味着在大电流工作状态下产生的导通损耗显著降低，从而减少了热量积累，提高了系统的热管理效率。这一特性特别适用于高密度电源设计，如通信电源模块和高性能计算设备中的供电单元。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为35纳秒。尽管肖特基二极管本质上不具备明显的少数载流子存储效应，因此通常没有传统意义上的“反向恢复”过程，但实际器件中仍存在少量寄生电容和结电荷，导致微小的反向电流尖峰。30CTQ040通过优化内部结构设计，最大限度地抑制了这种效应，使其在高频开关应用中表现出色，有效降低了开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件采用TO-247封装，具有优异的散热性能和机械强度，能够承受高达300A的非重复浪涌电流，增强了系统应对瞬态过流事件的能力。其宽广的工作结温范围（-65°C 至 +175°C）确保了在极端环境温度下的可靠运行，适用于严苛的工业和户外应用场景。此外，低热阻抗（RθJC = 1.0°C/W）使得热量能够快速从芯片传导至散热器，进一步提升功率处理能力。30CTQ040还具备良好的抗热循环疲劳性能，确保长期使用的可靠性。

30CTQ040广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适合用于输出整流环节。典型的应用领域包括服务器和数据中心的高效电源供应器（PSU），其中对能效等级（如80 PLUS Platinum/Titanium）有严格要求，该二极管的低VF特性有助于实现更高的转换效率。在通信基础设施中，如基站电源和光传输设备电源模块，30CTQ040可作为次级侧同步整流的替代方案或辅助整流元件，提升系统功率密度并降低温升。
　　在工业电源领域，该器件常用于大电流DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器以及焊接设备电源中，承担主整流或续流功能。由于其高浪涌电流承受能力和良好的热稳定性，即使在负载突变或启动冲击条件下也能保持稳定工作。此外，30CTQ040也适用于新能源系统中的辅助电源电路，例如太阳能逆变器和风力发电控制系统内的电源模块。
　　在电动汽车充电设施中，虽然主功率链路多采用SiC或GaN器件，但在部分辅助电源和控制电源回路中，30CTQ040仍可发挥其高效、可靠的整流作用。其符合RoHS标准且支持无铅焊接，便于集成到现代化自动化生产线中，适用于大规模批量制造场景。

STPS30L40CG
　　MBR30H40CT