型号：30CPQ080G
　　类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：80V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：30A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 15A, 25°C（每元件）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 80V, 25°C；100mA @ 80V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻结到壳（RθJC）：1.0°C/W
　　封装形式：TO-247AC

30CPQ080G的核心优势在于其卓越的低正向电压降与高电流承载能力之间的平衡，这使其成为现代高效电源设计中的关键组件之一。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体接触形成整流结，而非传统的P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，也就没有反向恢复时间（trr ≈ 0），从而极大降低了开关过程中的动态损耗。这一特性对于工作在数百kHz甚至MHz级别的高频DC-DC变换器尤为重要，因为它可以有效抑制因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁噪声，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，在同步整流架构中，尽管主开关管通常采用MOSFET进行主动控制，但在启动或轻载阶段仍可能依赖体二极管导通，此时外接的肖特基二极管如30CPQ080G可提供更低的导通压降路径，进一步优化效率。
　　另一个重要特性是其双共阴极结构设计，允许在一个紧凑的封装内集成两个独立但共享阴极的肖特基二极管，非常适合用于中心抽头变压器的全波整流拓扑。相比使用两个分立的单二极管方案，这种集成方式不仅节省了PCB空间，还简化了布局布线，并减少了寄生电感的影响，有利于提高高频性能。此外，TO-247AC封装提供了良好的机械强度和热传导能力，典型热阻RθJC仅为1.0°C/W，使得即使在30A持续电流下也能通过外部散热器将结温控制在安全范围内。该器件的工作结温高达+150°C，表明其具备较强的耐热能力，适合在高温工业环境中长期稳定运行。
　　从可靠性角度来看，30CPQ080G经过严格的质量控制和老化测试，符合AEC-Q101等汽车级可靠性标准（视具体批次而定），具备良好的抗湿性、抗热冲击性和长期稳定性。其反向漏电流随温度上升虽有所增加，但在125°C时仍保持在100mA以内，属于合理范围。此外，器件具备150A的峰值浪涌电流承受能力，能够应对电源启动或瞬态过载情况下的短时大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。综上所述，30CPQ080G凭借其高效的整流性能、优异的热管理和可靠的封装设计，成为中高功率开关电源中不可或缺的关键元器件。

30CPQ080G主要应用于需要高效、高频整流的电源系统中。典型应用场景包括：服务器和数据中心的高密度DC-DC电源模块，其中要求低电压、大电流输出，该器件的低VF特性有助于提升整体转换效率；通信电源系统，如基站电源和光传输设备电源，需长时间稳定运行且对可靠性要求极高；太阳能光伏逆变器中的输出整流环节，利用其无反向恢复电荷的优势减少开关损耗；工业自动化设备的开关电源单元（SMPS），尤其是在紧凑型设计中对散热和空间有严格要求的场合；电池充电管理系统，特别是在电动工具、储能系统和UPS不间断电源中，用于防止电池反向放电并实现高效能量回馈；此外，也常见于大功率LED驱动电源、医疗电子设备电源以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。由于其双共阴极结构，特别适用于带中心抽头变压器的全波整流电路，广泛用于LLC谐振转换器、移相全桥（Phase-Shift Full Bridge）等先进拓扑结构中，作为次级侧整流元件发挥关键作用。

SSSS30C80CG