301URA180 时间：2025/12/26 20:35:39 阅读：16

301URA180是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高效率、低功耗的电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，使其在开关电源、负载开关、电池管理以及便携式设备中表现出色。其封装形式为SOT-223，是一种广泛应用于表面贴装技术（SMT）的小型化封装，具备良好的散热性能，适合在空间受限且需要高效热管理的电路板上使用。
　　该MOSFET的工作电压范围适用于多种低压直流系统，特别适合用于替代传统的通孔器件以实现更紧凑的设计。Vishay作为全球领先的半导体制造商，确保了301URA180在可靠性、稳定性和一致性方面的高标准，广泛通过AEC-Q101等汽车级认证，可用于工业与汽车电子环境。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品的发展趋势。

参数

型号：301URA180
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/包：SOT-223
　　漏源电压(Vdss)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-4.4A
　　脉冲漏极电流(Idm)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ Vgs = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：70mΩ @ Vgs = -4.5V
　　阈值电压(Vgs(th))：-1V ~ -2.2V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ Vds=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　热阻抗(Junction to Ambient, RθJA)：65℃/W
　　热阻抗(Junction to Case, RθJC)：3.5℃/W

特性

301URA180采用Vishay成熟的TrenchFET?功率MOSFET技术，这种技术通过在硅片上构建垂直沟道结构，显著提升了单位面积下的载流能力，并有效降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提高整体系统效率。其典型RDS(on)在-10V栅极驱动下仅为55mΩ，在-4.5V时为70mΩ，表明即使在较低的控制电压条件下也能保持优异的导电性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。
　　该器件具备快速开关能力，得益于低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），可减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用中的能效表现。这对于DC-DC转换器、同步整流和负载开关等对响应速度有要求的场合尤为重要。同时，较低的Qrr反向恢复电荷也减少了体二极管在反向恢复期间的能量损失，进一步增强了系统的稳定性与可靠性。
　　SOT-223封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，还具备良好的热传导路径，结到外壳的热阻仅3.5℃/W，使得器件在大电流工作时能够有效将热量传递至PCB，避免局部过热导致的性能下降或损坏。此外，器件的最大工作结温可达+150℃，可在高温环境下长期稳定运行，适用于严苛工业或车载环境。
　　301URA180具有较高的雪崩耐受能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态电压冲击和负载突变情况下保持可靠工作。内置的ESD保护结构提高了器件在装配和使用过程中的抗静电能力。综合来看，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

应用

301URA180广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理系统中。常见用途包括低压DC-DC转换器中的高端开关，用于调节输出电压并实现高效的能量转换；在同步整流电路中作为主控开关元件，替代传统肖特基二极管以降低压降和功耗，从而提升转换效率。
　　该器件也常用于电池供电设备中的电源路径管理与负载开关控制，例如智能手机、平板电脑、便携式医疗设备和无线传感器节点等，能够在系统待机或关机时切断后级电路供电，防止电池漏电，延长续航时间。
　　在电机驱动和继电器驱动电路中，301URA180可用于控制电源通断，提供快速响应和低静态功耗。此外，它还可用于热插拔控制器、OR-ing二极管备份电源切换、逆变器和UPS不间断电源系统中，确保电源冗余和故障隔离。
　　由于其具备AEC-Q101汽车级认证，该器件同样适用于车载电子系统，如车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动和电动门窗控制单元等，满足汽车行业对元器件长期可靠性和环境适应性的严格要求。其SOT-223封装易于手工焊接或回流焊，适合从原型开发到大批量生产的各种制造流程。