时间:2025/12/26 20:05:05
阅读:14
301UR250是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅整流二极管阵列,专为高密度、高频应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基势垒二极管,采用共阴极配置,封装在小型SMA(DO-214AC)封装中,适用于空间受限的电路板布局。301UR250以其低正向电压降和快速反向恢复时间著称,使其在开关电源、DC-DC转换器以及信号解调等应用中表现出色。其结构采用先进的平面技术制造,确保了稳定的电气性能和高可靠性。该器件符合RoHS指令要求,并且具备良好的热稳定性和抗浪涌能力。由于其出色的高频响应特性,301UR250常用于便携式电子设备、消费类电子产品及通信模块中作为整流或保护元件。此外,该器件对瞬态电压具有较强的耐受性,适合在存在电磁干扰或电压波动的环境中使用。
类型:双肖特基势垒二极管
配置:共阴极
封装/外壳:SMA(DO-214AC)
最大重复反向电压(VRRM):250V
最大直流阻断电压(VR):250V
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
最大正向平均电流(IF(AV)):1.0A
最大正向电压降(VF):1.05V @ 1.0A, TJ=25°C
最大反向漏电流(IR):200μA @ 250V, TJ=25°C
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻抗(RθJA):约150°C/W(标准FR-4 PCB)
安装类型:表面贴装
301UR250的核心特性之一是其低正向电压降,典型值仅为0.87V,在1A电流下可显著降低功率损耗,提高系统效率。这一优势对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。其肖特基势垒结构避免了少数载流子的存储效应,因此具备极快的开关速度和几乎为零的反向恢复时间,有效减少高频开关过程中的能量损耗和噪声生成。
该器件的共阴极双二极管配置非常适合全波整流或双路同步整流拓扑,简化了PCB布线并节省空间。SMA封装虽小,但经过优化设计,具备良好的散热性能,可在有限空间内承受较高的电流负载。器件还具备良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的电学参数,防止因温升导致的性能下降或失效。
301UR250具有优异的抗浪涌能力,能够承受高达30A的峰值浪涌电流,增强了其在电网波动或启动冲击下的可靠性。同时,其反向漏电流在正常工作温度范围内保持较低水平,但在高温条件下会有所上升,需在设计时考虑散热措施以维持长期稳定性。
该器件不含铅(Pb-free),符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。其封装材料具备良好的机械强度和防潮性能,适合自动化贴片生产流程,提升了制造效率和产品一致性。
301UR250广泛应用于各类需要高效整流与快速响应的电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作次级侧整流器,特别是在反激式或正激式转换器中,利用其低VF特性提升整体能效。在DC-DC转换器模块中,该器件可用于同步整流辅助电路或电压钳位保护。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理单元中也常见其身影,用于电池充电路径控制或多电源切换管理。此外,在适配器、USB充电器和LED驱动电源中,301UR250凭借其紧凑尺寸和高可靠性成为理想选择。
工业控制设备中的传感器接口电路、信号调理模块以及通信设备的射频检波电路也可采用该器件进行信号整流或过压保护。其快速响应能力使其适用于高频脉冲整流场景,例如编码器反馈信号处理或数字隔离器输出端的整流。
由于其具备一定的耐压能力和浪涌承受力,301UR250还可用于简单的EMI抑制电路或瞬态电压吸收网络中,作为低成本保护元件使用。
MBR1U250G
SR1U250
SB1250